公开(公告)号：CN118412350A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410111903.0

申请日：2024-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林圣根 ,  高到贤 ,  金彦起 ,  边晓训 ,  曹裕英 ,  赵真英

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L23/50 ,  H01L23/482 ,  H01L23/522

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸；保护层，其位于衬底的下表面上；蚀刻停止层，其位于保护层的下表面上；器件隔离层，其限定有源区域；栅极结构，其位于有源区域上并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区域，其在栅极结构的两个横向侧上位于有源区域上；接触结构，其连接到源极/漏极区域；以及功率传输结构，其电连接到接触结构。

公开(公告)号：CN115881780A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210712796.8

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河龙 ,  金锡勳 ,  高到贤 ,  金正泽 ,  梁炆承 ,  李相吉 ,  郑揟珍

IPC: H01L29/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，设置在有源图案上，其中，沟道图案包括竖直堆叠并彼此间隔开的多个半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；以及栅电极，设置在半导体图案上。栅电极包括分别置于半导体图案之间的多个部分，源极/漏极图案包括与半导体图案接触的缓冲层和设置在缓冲层上的主层。缓冲层包含硅锗(SiGe)，并且包括第一半导体层和在第一半导体层上的第一回流层。第一回流层的锗浓度小于第一半导体层的锗浓度。

公开(公告)号：CN114639734A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111326140.4

申请日：2021-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑㥠珍 ,  高到贤 ,  金锡勳 ,  金正泽 ,  朴判贵 ,  梁炆承 ,  崔珉姬 ,  河龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，包括下图案和多个片图案；栅极结构，设置在下图案上并且围绕多个片图案；以及源极/漏极图案，填充源极/漏极凹陷并且形成在栅极结构的至少一侧上。源极/漏极图案包括沿着源极/漏极凹陷延伸并且接触下图案的第一半导体图案以及依次地设置在第一半导体图案上的第二半导体图案和第三半导体图案，第三半导体图案的下表面设置在最下面的片图案的下表面下方，第三半导体图案的侧表面包括平面部分，并且在第三半导体图案的下表面上的第二半导体图案的厚度与在第三半导体图案的侧表面的平面部分上的第二半导体图案的厚度不同。

公开(公告)号：CN117153881A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310611948.X

申请日：2023-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边晓训 ,  林圣根 ,  高到贤 ,  金彦起 ,  曹裕英 ,  赵真英

IPC: H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，衬底包括在第一方向上延伸的有源区域；栅极结构，栅极结构在衬底上与有源区域交叉，并且在第二方向上延伸；多个沟道层，在有源区域上，多个沟道层在与衬底的上表面垂直的第三方向上彼此间隔开，并且被栅极结构围绕；以及源极/漏极区域，源极/漏极区域在与栅极结构相邻的两侧位于有源区域的凹陷区域中，并且电连接到多个沟道层。多个沟道层中的每一个沟道层包括在第三方向上依次叠置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一半导体层和第三半导体层包括硅(Si)，并且第二半导体层包括硅锗(SiGe)。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的在第二方向上的侧表面与栅极结构接触。