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公开(公告)号：CN111987143A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010442515.2
申请日：2020-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括：有源区；隔离区，限定所述有源区；阻挡层，位于所述有源区上；上半导体层，位于所述阻挡层上；以及栅极结构，覆盖所述上半导体层的上表面、下表面和在第一方向上的侧表面。所述第一方向是平行于所述有源区的上表面的方向，并且所述阻挡层布置在所述栅极结构与所述有源区之间。
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公开(公告)号：CN1969386A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580010346.9
申请日：2005-01-18
Applicant: 汉阳大学校产学协力团 , 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 本发明涉及一种带有纳米级浮栅的闪存装置及其制造方法，具体涉及一种带有采用嵌入聚合物膜中的自组装的纳米结晶体的效率高并且成本低的纳米级浮栅的闪存装置。本发明提供的制造用于闪存装置的纳米结晶体的方法较传统方法更为简单容易。由于结晶体作为聚合物层均匀散布，而不凝聚，所以可以控制结晶粒子的尺寸和密度。此外，本发明通过利用电学特性和化学特性都比传统浮栅更加稳定的纳米级浮栅，提供了带有效率高并且成本低的纳米级浮栅的存储装置及其制造方法。
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公开(公告)号：CN117153881A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310611948.X
申请日：2023-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，衬底包括在第一方向上延伸的有源区域；栅极结构，栅极结构在衬底上与有源区域交叉，并且在第二方向上延伸；多个沟道层，在有源区域上，多个沟道层在与衬底的上表面垂直的第三方向上彼此间隔开，并且被栅极结构围绕；以及源极/漏极区域，源极/漏极区域在与栅极结构相邻的两侧位于有源区域的凹陷区域中，并且电连接到多个沟道层。多个沟道层中的每一个沟道层包括在第三方向上依次叠置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一半导体层和第三半导体层包括硅(Si)，并且第二半导体层包括硅锗(SiGe)。第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层的在第二方向上的侧表面与栅极结构接触。
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公开(公告)号：CN111952276A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010086446.6
申请日：2020-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层；在第一表面上的有源图案，所述有源图案包括源极/漏极区域；电连接到所述源极/漏极区域的电力轨；以及在所述第二表面上的电力输送网络，所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂，并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。
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公开(公告)号：CN111952276B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202010086446.6
申请日：2020-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H10D62/10 , H10D84/83
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的半导体层；在第一表面上的有源图案，所述有源图案包括源极/漏极区域；电连接到所述源极/漏极区域的电力轨；以及在所述第二表面上的电力输送网络，所述电力输送网络电连接到所述电力轨。所述半导体层包括蚀刻停止掺杂剂，并且所述蚀刻停止掺杂剂在所述第二表面处具有最大浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118412350A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410111903.0
申请日：2024-01-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/085 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/41 , H01L29/772 , H01L29/78 , H01L23/50 , H01L23/482 , H01L23/522
Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；有源区域，其在衬底上在第一方向上延伸；保护层，其位于衬底的下表面上；蚀刻停止层，其位于保护层的下表面上；器件隔离层，其限定有源区域；栅极结构，其位于有源区域上并且在与第一方向相交的第二方向上延伸；源极/漏极区域，其在栅极结构的两个横向侧上位于有源区域上；接触结构，其连接到源极/漏极区域；以及功率传输结构，其电连接到接触结构。
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公开(公告)号：CN118352356A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202311574033.2
申请日：2023-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088
Abstract: 一种集成电路器件包括：后布线结构；绝缘衬底，设置在所述后布线结构上并且包括在第一水平方向上延伸的鳍结构；器件隔离层，设置在所述鳍结构之间；下绝缘层，覆盖所述鳍结构；栅极结构，在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；多个纳米片堆叠件，设置在所述下绝缘层上；第一源极/漏极区，设置在所述绝缘衬底上并且包括主体部分和垂直延伸部分，其中，所述主体部分设置在所述多个纳米片堆叠件之间，并且所述垂直延伸部分穿过所述下绝缘层并且至少部分地穿过对应的所述鳍结构；半导体外延结构，至少部分地围绕所述第一源极/漏极区的所述垂直延伸部分；以及下接触，将所述半导体外延结构与所述后布线结构连接。
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公开(公告)号：CN111968969A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010176255.9
申请日：2020-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/088 , H01L23/48 , H01L23/535 , H01L21/762
Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。所述集成电路器件包括：嵌入绝缘层；半导体层，位于所述嵌入绝缘层上，所述半导体层具有主表面和从所述主表面突出以在第一水平方向上延伸且彼此平行的多个鳍型有源区；分隔绝缘层，将所述半导体层分隔成在与所述第一水平方向相交的第二水平方向上彼此相邻的至少两个元件区域；位于所述多个鳍型有源区上的源极/漏极区；第一导电插塞，位于所述源极/漏极区上并电连接到所述源极/漏极区；掩埋轨道，穿过所述分隔绝缘层和所述半导体层同时电连接到所述第一导电插塞；以及电力输送结构，布置在所述嵌入绝缘层中，所述电力输送结构与所述掩埋轨道接触并电连接到所述掩埋轨道。
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公开(公告)号：CN111326443A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910774444.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 用于制造半导体器件的设备包括：处理室，其包括等离子处理空间；和衬底支撑件，其布置在处理室中并且构造为支撑衬底，其中衬底支撑件包括：基座，其包括多个升降销孔，每个升降销孔构造为容纳升降销；和密封带，其具有环形形状并从基座突出，密封带的内径小于多个升降销孔的节圆直径。
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公开(公告)号：CN117238919A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310568902.4
申请日：2023-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一晶体管结构，在基底上，第一晶体管结构包括彼此间隔开的第一沟道层、围绕第一沟道层的第一栅电极、在第一栅电极的第一侧连接到第一沟道层的第一源极/漏极区以及在第一栅电极的与第一栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第一沟道层的第二源极/漏极区；以及第二晶体管结构，在第一晶体管结构上，第二晶体管结构包括彼此间隔开的第二沟道层、围绕第二沟道层的第二栅电极、在第二栅电极的第一侧连接到第二沟道层的第三源极/漏极区以及在第二栅电极的与第二栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第二沟道层的第四源极/漏极区。
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