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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115732303A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211001265.4
申请日：2022-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种等离子体生成器包括：同轴管组件、射频(RF)电极和馈送部，馈送部包括内圆周表面，内圆周表面在馈送部的相对的第一端部和第二端部处限定第一凹部和第二凹部。同轴管组件的第一突起耦接到馈送部的第一凹部。RF电极的第二突起耦接到馈送部的第二凹部。馈送部包括第一内表面和第二内表面，第一内表面和第二内表面分别在馈送部的第一端部和第二端部处在内圆周表面中限定第一插入凹槽和第二插入凹槽。第一螺旋弹簧和第二螺旋弹簧分别至少部分地位于第一插入凹槽和第二插入凹槽内。同轴管组件、RF电极和馈送部基于馈送部耦接在同轴管组件与RF电极之间而提供RF电力传输路径。
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公开(公告)号：CN111326443A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910774444.3
申请日：2019-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 用于制造半导体器件的设备包括：处理室，其包括等离子处理空间；和衬底支撑件，其布置在处理室中并且构造为支撑衬底，其中衬底支撑件包括：基座，其包括多个升降销孔，每个升降销孔构造为容纳升降销；和密封带，其具有环形形状并从基座突出，密封带的内径小于多个升降销孔的节圆直径。
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公开(公告)号：CN107587122A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710259823.X
申请日：2017-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C23C14/5813 , C23C16/24 , C23C16/4401 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/56 , H01L21/0206 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/67253 , H01L21/78 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种能够在沉积处理中检测腔室的内部状态的沉积处理监视系统以及一种控制沉积处理的方法和一种利用该系统制造半导体器件的方法。沉积处理监视系统包括：设施盖，其构造为限定用于沉积处理的空间；位于设施盖中的腔室，所述腔室被半透明圆顶盖覆盖，并且具有其上放置沉积目标的支承件；布置在设施盖中的多个灯，所述灯分别布置在腔室的上部和下部，并且所述灯构造为在沉积处理中将辐射热能供应至腔室中；以及布置在腔室外的激光传感器，该激光传感器构造为用激光束辐射圆顶盖并且检测透过圆顶盖传输的激光束的强度，其中，基于检测到的激光束的强度来确定圆顶盖所涂布的副产物的状态。
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