公开(公告)号：CN117410315A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310314967.6

申请日：2023-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边晓训 ,  林圣根 ,  曺裕英 ,  赵真英

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/092

Abstract: 公开了半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括有源图案；沟道图案，在有源图案上，沟道图案包括多个竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，连接到半导体图案；栅电极，在半导体图案上，栅电极包括置于第一半导体图案与第二半导体图案之间的第一部分，第一半导体图案和第二半导体图案是半导体图案中的两个相邻半导体图案；以及栅极绝缘层，置于栅电极的第一部分与第一半导体图案和第二半导体图案之间。第二半导体图案位于比第一半导体图案高的层处。第一半导体图案包括具有第一深度的第一沟道凹部，并且第二半导体图案包括具有小于第一深度的第二深度的第二沟道凹部。

公开(公告)号：CN117238919A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310568902.4

申请日：2023-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵真英 ,  边晓训 ,  李南玹 ,  林圣根 ,  曺裕英

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一晶体管结构，在基底上，第一晶体管结构包括彼此间隔开的第一沟道层、围绕第一沟道层的第一栅电极、在第一栅电极的第一侧连接到第一沟道层的第一源极/漏极区以及在第一栅电极的与第一栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第一沟道层的第二源极/漏极区；以及第二晶体管结构，在第一晶体管结构上，第二晶体管结构包括彼此间隔开的第二沟道层、围绕第二沟道层的第二栅电极、在第二栅电极的第一侧连接到第二沟道层的第三源极/漏极区以及在第二栅电极的与第二栅电极的第一侧相对的第二侧连接到第二沟道层的第四源极/漏极区。