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公开(公告)号：CN108425117B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201810323314.3
申请日：2018-04-10
Applicant: 深圳市时代高科技设备股份有限公司
IPC: C23F4/04
Abstract: 本发明公开一种夹具脱锡装置，本发明技术方案为：包括，清洗槽，所述清洗槽内设有传热工质，所述传热工质的密度小于锡的密度；传送部，所述传送部包括传送带，所述传送带运转时，传送带的载物面包括：进料段；中段，所述进料段和/或中段位于所述传热工质中；出料段，所述出料段位于传热工质外，所述进料段、中段和出料段沿转动方向依次连接；加热部，所述加热部用于加热传热工质；排锡阀，所述排锡阀连接在清洗槽底部，所述排锡阀导热，排锡阀设有保温结构。本发明提高了夹具脱锡的效率，以及夹具脱锡后夹具和锡的回收效率。
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公开(公告)号：CN117568739A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311557986.8
申请日：2023-11-21
Applicant: 陕西科技大学
IPC: C23C8/24 , C23C8/02 , B23K26/352 , C23F4/04
Abstract: 本发明提供一种激光氮化和织构化钛合金超疏水表面制备方法及应用，具体步骤如下：真空条件下，对钛合金试样进行预扫描加工表面；氮气环境下，在S1得到钛合金试样表面进行同步激光氮化和织构化加工，实现钛合金表面超疏水TiN周期性微凹槽涂层的制备；本发明在钛合金表面制得TiN周期性微凹槽涂层，使其具有良好的超疏水性能，不仅能提高钛合金的防冰性能，也能促进钛合金在超疏水邻域其它方面的应用。
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公开(公告)号：CN107299349B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710384780.8
申请日：2017-05-26
Applicant: 江西理工大学
IPC: C23F4/04
Abstract: 本发明公开了一种去除镀锡铜带表面镀锡层的方法，包括以下步骤：（1）将分切的镀锡铜带和去锡添加剂加入加热炉；（2）加入覆盖剂后，在温度为300～550℃的条件下保温60～150分钟，进行冷却、分离镀锡铜带和镀锡层，清理后得到去除锡的铜带。本发明克服了现有的镀锡铜带回收料去锡再生利用的技术难题，在中温加热过程中实现镀锡层与铜带的分离，达到了镀锡铜带去锡的目的。本发明具有低成本、短流程特点，不会对环境造成二次污染，可实现镀锡铜带回收料的再生利用。
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公开(公告)号：CN104822482B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201380063847.8
申请日：2013-10-07
CPC classification number: H01J37/3005 , G01N1/32 , G01N23/2255 , G01N2223/104 , G01N2223/611 , H01J37/3007 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J37/31 , H01J2237/063 , H01J2237/08 , H01J2237/2813 , H01J2237/31732 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749
Abstract: 为了减少通过聚焦离子束暴露以供查看的表面中的伪像，靠近感兴趣的区域铣削沟槽，并且填充沟槽以创建隔板。离子束被引导通过隔板以暴露感兴趣的区域的一部分以供查看。沟槽例如是通过带电粒子束感应沉积来填充的。沟槽典型地被自顶向下铣削和填充，并且然后，离子束关于样本表面成角度以暴露感兴趣的区域。
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公开(公告)号：CN100443637C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510126376.8
申请日：2005-12-08
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 张京华
IPC: C23F4/04 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及半导体刻蚀领域，本发明是一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法，本发明的方法在试验的基础上，获得腔室温度和温控器之间的一个对应关系，也就是记录下，当腔室温度升高时，相应的需要将温控器的温度调节为多少，可以将硅片的温度保持在正常值范围内。将这些对应关系保存在一个数据库中，在工艺过程中，根据腔室温度的变化，查找数据库，实时的调整温控器的温度，从而控制硅片的温度；由于采用以上技术方案，系统能根据反应腔室温度的变化，实时查找数据库，实时调整温控器的温度，从而控制硅片的温度处于正常值，提高了晶片的刻蚀效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1851051A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200510126376.8
申请日：2005-12-08
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 张京华
IPC: C23F4/04 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及半导体刻蚀领域，本发明是一种半导体刻蚀工艺中控制反应腔室晶片温度的方法，本发明的方法在试验的基础上，获得腔室温度和温控器之间的一个对应关系，也就是记录下，当腔室温度升高时，相应的需要将温控器的温度调节为多少，可以将硅片的温度保持在正常值范围内。将这些对应关系保存在一个数据库中，在工艺过程中，根据腔室温度的变化，查找数据库，实时的调整温控器的温度，从而控制硅片的温度；由于采用以上技术方案，系统能根据反应腔室温度的变化，实时查找数据库，实时调整温控器的温度，从而控制硅片的温度处于正常值，提高了晶片的刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN1850347A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200510126290.5
申请日：2005-12-02
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 胡谦
IPC: B05B1/14 , C23C16/513 , C23F4/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及供气均匀性可调的进气喷嘴，包括内芯和套装在内芯外的外套，所述内芯的中心具有中心出气通孔，其侧面开有第一进气孔，所述外套的中心开有通孔，该通孔与内芯的外壁之间具有间隙，形成边缘出气通道，该边缘出气通道的出气口为喇叭口形或锥形的圆环，外套的侧面开有第二进气孔，所述第一进气孔和第二进气孔与工艺气体的比例调节阀联接。该喷嘴采用中心区域和边缘区域双区道供气，使晶片表面发生的化学反应速度差异较小，速率均匀，可提高晶片的质量，有效且经济的制造、安装和维修。并且该喷嘴结构简单，便于加工制造。
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公开(公告)号：CN1072218A
公开(公告)日：1993-05-19
申请号：CN91110457.7
申请日：1991-11-09
Applicant: 洛阳铜加工厂
CPC classification number: C23F1/10
Abstract: 本发明涉及一种铜及铜合金制品表面上铅锡等的回收工艺方法。表面上涂有铅锡(或铅或锡)的废旧器件在熔盐中浸泡，熔化的铅锡合金(或铅或锡)铸成锭。溶盐的组成为含氯化钠20～80％，含氯化钾20～80％。熔盐的温度控制在690～850℃。经熔盐烫洗的废旧器件的部件用水冲洗，使铅锡合金(或铅或锡)与铜及铜合金很好地分离。本工艺方法的优点是连续操作，熔盐损失小，铅锡合金焊料可直接回收再作为焊料，铜及铜合金可直接配制成适宜牌号的合金。
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公开(公告)号：CN112501616A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011245422.7
申请日：2020-11-10
Applicant: 合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室) , 中国科学院合肥物质科学研究院
Abstract: 本发明涉及一种清除粘附于金属样件表面锂合金的方法及装置，所述方法包括：步骤1、对粘附锂合金的样件进行初步处理，去除块状锂合金，以减少样件表面粘附的锂合金；步骤2、通过容器上方的波纹管调整样品架的位置，将样件置于容器中的样品架上，采用氩气惰性气体保护下在容器中填充预定量的固态锂，然后将容器密封并加热使固态锂熔化；步骤3、控制容器温度保持预定时间，通过锂合金向液态锂中溶解的方式实现样件表面锂合金在液态锂中的清除；步骤4、通过波纹管的伸缩，提高样品架的位置，将样品架与液态锂分离；步骤5、采用自然冷却的方式，待容器温度降至室温后打开容器取出样品架和样件；步骤6、将取出的样件浸泡清洗，吹干得到清洁表面的样件。
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公开(公告)号：CN106756989B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201611029466.X
申请日：2016-11-22
Applicant: 昆明七零五所科技发展有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种零件的激光复合制造技术，包括以下步骤：S1：载入模型；S2：模型预处理；S3：切片；S4：增材制造工艺；S5：判断表面粗糙度是否符合要求；S6：激光重熔，激光抛光；S7：判断尺寸精度是否符合要求；S8：激光烧蚀，激光雕刻；S9：判断表面质量是否符合要求；S10：激光淬火，激光氧化；S11：判断模型是否制作完毕。该激光复合制造方法将激光增材、激光减材、激光表面改性技术集于一身，能有效提高制件尺寸精度、表面光洁度、密实度，并改善制件的表面质量，可实现零件的一次成型。
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