公开(公告)号：CN1825541A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005803.1

申请日：2006-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹世罗 ,  裵根熙 ,  洪昌基 ,  朴正宪 ,  李在东 ,  郑明浩 ,  具珠善 ,  朴俊相 ,  金荣玉

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897

Abstract: 在一个方面，提供一种自－对准的接触方法，其中衬底具有在衬底表面上隔开的多个结构，以及在该多个结构上和该多个结构之间淀积牺牲膜，牺牲膜的材料具有给定的承受温度。牺牲膜被构图，以露出邻近多个结构的衬底部分。在牺牲膜和衬底的露出部分上淀积绝缘层，绝缘层的淀积包括在低于牺牲膜材料的承受温度的温度下的热处理。绝缘层被平整，以露出牺牲膜，和牺牲膜被除去，以露出多个结构之间的各个区域。多个结构之间的各个区域用导电材料填充。