公开(公告)号：CN1073551A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：CN92112536.4

申请日：1992-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  安容彻

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明的目的在于通过遮断与硫酸蒸汽及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基板上沉积含有高浓度的硼素及亚磷的绝缘膜的步骤，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理的步骤，以及在低温下进行回流处理的步骤。

公开(公告)号：CN1028817C

公开(公告)日：1995-06-07

申请号：CN92112536.4

申请日：1992-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶圭 ,  洪昌基 ,  郑佑仁 ,  安容彻

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834

Abstract: 本发明的目的在于通过遮断与硫酸沸液及大气中的原子之间的反应，减轻来自外部的冲击，防止高浓度BPSG的破坏，从而提供一种在低温下良好的半导体装置的绝缘膜形成方法。本发明包括下面的步骤：在形成元件的半导体基底上沉积含有高浓度的硼元素及磷元素的绝缘膜，在上述的沉积绝缘膜的表面使用等离子进行表面处理，以及在低温下进行回流处理。