公开(公告)号：CN102117698B

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN1949482B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200610132163.0

申请日：2006-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  吴政玟 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  沈雨宽

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852

Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。

公开(公告)号：CN102117698A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010605685.4

申请日：2010-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  尹普彦 ,  李根泽 ,  沈雨宽 ,  车知勋 ,  朴壬洙 ,  李晓山 ,  金伶厚 ,  吴政玟

IPC: H01G4/00 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

Abstract: 本发明公开形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法。在电容器的形成方法中，包括第一绝缘材料的第一模层图案可以形成在衬底上。第一模层图案可以具有沟槽。包括第二绝缘材料的支撑层可以形成在沟槽中。第二绝缘材料可以相对于第一绝缘材料具有蚀刻选择性。第二模层可以形成在第一模层图案和支撑层图案上。下电极可以形成为穿过第二模层和第一模层图案。下电极可以接触支撑层图案的侧壁。可以去除第一模层图案和第二模层。电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

公开(公告)号：CN101577226A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137129.6

申请日：2009-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  金伶厚 ,  洪昌基 ,  李根泽 ,  李在东 ,  严大弘 ,  韩政男

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L27/24 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种形成接触结构的方法及制造半导体器件的方法。绝缘层可以形成在具有接触区的目标体上。绝缘层可以被部分蚀刻以形成暴露接触区的开口。包括硅和氧的材料层可以形成在暴露的接触区上。金属层可以形成在包括硅和氧的材料层上。包括硅和氧的材料层可以与金属层反应从而至少在接触区上形成金属氧硅化物层。导电层可以形成在金属氧硅化物层以填充开口。

公开(公告)号：CN1949482A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610132163.0

申请日：2006-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 康大赫 ,  吴政玟 ,  洪昌基 ,  崔相俊 ,  沈雨宽

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10852

Abstract: 一方面，提出了一种制造半导体存储器器件的方法，包括：在半导体衬底的第一部分和第二部分上面形成模具绝缘膜，其中模具绝缘膜包括在半导体衬底的第一部分上面彼此间隔的多个存储节点电极孔。该方法还包括：在存储节点电极孔的内表面上分别形成多个存储节点电极，以及形成覆盖膜，所述覆盖膜覆盖位于半导体衬底的第一部分上面的存储节点电极和模具绝缘膜的第一部分，但暴露出位于半导体衬底的第二部分上面的模具绝缘膜的第二部分。该方法还包括：至少利用湿法刻蚀，选择性地除去模具绝缘膜以暴露出由覆盖膜所覆盖的存储节点电极中的至少一个存储节点电极的侧壁，以及通过干法刻蚀除去覆盖膜以暴露出存储节点电极的上部。