公开(公告)号：CN109037094B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN115565909A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210732148.9

申请日：2022-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  郑志薰 ,  金伶厚 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于干燥晶片的装置，包括：干燥室；超临界流体供应模块，被配置为向干燥室供应超临界流体；主排放管线，连接到干燥室并且安装有主阀；以及辅助排放单元，连接到主排放管线。辅助排放单元包括：辅助排放管线，连接到主排放管线，并且被配置为当主阀关闭时将超临界流体从干燥室排放；负压罐，安装在辅助排放管线中；第一阀，安装在辅助排放管线中，该第一阀被配置为当主阀关闭时打开；以及第二阀，安装在辅助排放管线中，该第二阀被配置为与第一阀一起打开。

公开(公告)号：CN112071770A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010268743.2

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炳权 ,  朴相真 ,  高镛璿 ,  S·田 ,  郑志薰 ,  洪晟植

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了基于光辐射的晶圆清洗设备以及包括该晶圆清洗设备的晶圆清洗系统，该晶圆清洗设备能够有效地清洗晶圆上的残留物而不损坏晶圆。该晶圆清洗设备构造为通过光辐射来清洗晶圆上的残留物，并且包括：光辐射单元，其构造为在光辐射期间将光辐射到晶圆上；晶圆处理单元，其构造为为容纳晶圆并控制晶圆的位置，使得在光辐射期间将光辐射到晶圆上；以及冷却单元，其构造为在已经完成光辐射之后冷却晶圆。光辐射单元、晶圆处理单元和冷却单元顺序地布置在竖直结构中，光辐射单元位于晶圆处理单元上方，并且晶圆处理单元位于冷却单元上方。

公开(公告)号：CN109148328A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN109148328B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN115206828A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202111536747.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  金英泰 ,  郑志薰 ,  金伶厚

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种流体供应设备，该流体供应设备被配置为向包括腔室的晶片处理设备供应处理流体。该流体供应设备包括：储存器，被配置为将处理流体改变为超临界流体状态；晶片保护设备，被配置为通过接收处于超临界流体状态的处理流体并限制处理流体的速度来防止处于晶片处理设备的腔室中的晶片被处于超临界流体状态的处理流体损坏；以及流体供应管线，被配置为提供储存器和晶片保护设备之间的处理流体的路径以及晶片保护设备和晶片处理设备之间的处理流体的路径。

公开(公告)号：CN109148327B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810623331.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。

公开(公告)号：CN109148327A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810623331.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B08B3/08 ,  B08B2203/007 ,  F26B3/00 ,  F26B5/005 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/67248

Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。

公开(公告)号：CN109037094A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02101 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。