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公开(公告)号：CN117877976A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311302591.3
申请日：2023-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/56
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成台阶键；在台阶键上形成覆盖台阶键的模塑层；在模塑层上形成第一掩模层；在第一掩模层中形成与台阶键重叠的透明层；在第一掩模层和透明层上形成第二掩模层；使用第二掩模层来蚀刻模塑层，其中，第一掩模层包括金属材料。
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