公开(公告)号：CN110880447B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

公开(公告)号：CN110970289B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN110970289A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910892838.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  金昌炫 ,  山本薰 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  李殷奎 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  安星柱

IPC: H01L21/02

Abstract: 提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。

公开(公告)号：CN116507115A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211232958.4

申请日：2022-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴世兰 ,  金硕壎 ,  安星柱 ,  金延昱

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括多个有源图案；以及位线，在基底上与多个有源图案中的至少一个交叉并且在第一方向上延伸。位线包括在第一方向上延伸的第一导电图案、位于第一导电图案上在第一方向上延伸的位线覆盖图案以及位于第一导电图案与位线覆盖图案之间在第一方向上延伸的石墨烯图案。第一导电图案可以包括钌(Ru)。

公开(公告)号：CN118382289A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311261443.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  朴相俊 ,  安星柱 ,  朴基钟 ,  尹一永

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26

Abstract: 根据实施例的半导体存储器件包括：衬底；位线，位于衬底上并且沿第一方向延伸；沟道容纳绝缘层，位于衬底上，并且限定暴露位线并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道层，沿沟道沟槽的底表面和侧表面延伸并且接触位线；字线，位于沟道沟槽中并且沿第二方向延伸；栅绝缘层，位于沟道层与字线之间；以及电容器结构，位于沟道层上并且电连接到沟道层，其中沟道层具有氧化物半导体层和第一石墨烯层的双层结构。

公开(公告)号：CN116190214A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211334930.1

申请日：2022-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安星柱 ,  吴世兰 ,  金延昱

IPC: H01L21/033

Abstract: 一种用于在半导体器件的制造工艺中使用的硬掩模膜，包括：第一石墨烯层；第一非晶碳层，形成在第一石墨烯层上；第二石墨烯层，形成在第一非晶碳层上；以及第二非晶碳层，形成在第二石墨烯层上。

公开(公告)号：CN110872698A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910724828.4

申请日：2019-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安星柱 ,  李全一 ,  山本薰 ,  李章熙 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。

公开(公告)号：CN116153853A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211453174.4

申请日：2022-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安星柱 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  申建旭

IPC: H01L21/764

Abstract: 提供了一种制造包括限定气隙的二维材料层的半导体器件的方法和自该方法制造的半导体器件。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成结构，其中该结构具有开口；将基板装载到工艺室中；在结构的上表面上形成至少一个二维材料层以覆于开口上并形成气隙，其中气隙的上部由至少一个二维材料层限定；以及从工艺室卸载基板。

公开(公告)号：CN110872698B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201910724828.4

申请日：2019-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安星柱 ,  李全一 ,  山本薰 ,  李章熙 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  H01L21/67

Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。

公开(公告)号：CN110880447A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。