公开(公告)号：CN111276481B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN201910822506.3

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林汉镇 ,  朴基钟 ,  金润守

IPC: H10B12/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。半导体器件可以包括衬底上的有源图案。有源图案可以包括第一源/漏区和第二源/漏区。半导体器件还可以包括电连接到第一源/漏区的位线、电连接到第二源/漏区的第一连接电极以及第一连接电极上的电容器。电容器可以包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电图案。介电图案的下部可以与第一连接电极的顶表面重叠，并且第一电极可以在第一连接电极的侧壁的上部上延伸。

公开(公告)号：CN116782637A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310212812.1

申请日：2023-03-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任遂彬 ,  金仁洙 ,  孟瑞贤 ,  朴基钟 ,  朴壬洙 ,  李基硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：衬底上的第一柱状绝缘图案，沿竖直方向延伸，在第一方向上间隔开并排列成行；衬底上的第二柱状绝缘图案，沿竖直方向延伸，在第一方向上间隔开并排列成行，第二柱状绝缘图案和第一柱状绝缘图案在与第一方向垂直的第二方向上彼此重叠；堆叠在衬底上以在竖直方向上间隔开的硅图案，沿第二方向延伸并位于两个第一柱状绝缘图案之间和两个第二柱状绝缘图案之间；每个硅图案的上表面和下表面中的每个表面上的字线，沿第一方向延伸，接触第一柱状绝缘图案和/或第二柱状绝缘图案中的至少一个的侧壁；接触硅图案中的至少第一硅图案的第一侧壁的位线，沿竖直方向延伸；及接触第一硅图案的第二侧壁的电容器，沿水平方向设置。

公开(公告)号：CN118382289A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311261443.1

申请日：2023-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  朴相俊 ,  安星柱 ,  朴基钟 ,  尹一永

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/26

Abstract: 根据实施例的半导体存储器件包括：衬底；位线，位于衬底上并且沿第一方向延伸；沟道容纳绝缘层，位于衬底上，并且限定暴露位线并沿与第一方向交叉的第二方向延伸的沟道沟槽；沟道层，沿沟道沟槽的底表面和侧表面延伸并且接触位线；字线，位于沟道沟槽中并且沿第二方向延伸；栅绝缘层，位于沟道层与字线之间；以及电容器结构，位于沟道层上并且电连接到沟道层，其中沟道层具有氧化物半导体层和第一石墨烯层的双层结构。

公开(公告)号：CN111276481A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201910822506.3

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林汉镇 ,  朴基钟 ,  金润守

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。半导体器件可以包括衬底上的有源图案。有源图案可以包括第一源/漏区和第二源/漏区。半导体器件还可以包括电连接到第一源/漏区的位线、电连接到第二源/漏区的第一连接电极以及第一连接电极上的电容器。电容器可以包括第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的介电图案。介电图案的下部可以与第一连接电极的顶表面重叠，并且第一电极可以在第一连接电极的侧壁的上部上延伸。

公开(公告)号：CN117438333A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310575448.5

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛承敃 ,  金浚永 ,  朴基钟 ,  宋善重 ,  蔡升澈

IPC: H01L21/67

Abstract: 提供了一种原子层蚀刻(ALE)方法和原子层蚀刻设备。该方法包括：将具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底装载到卡盘上的操作(a)，通过冷却液将衬底冷却到第一温度的操作(b)，通过从位于卡盘上方的喷淋头向衬底喷射第一源气体，通过第一源气体和衬底的第一表面之间发生的反应来在衬底上形成改性层的操作(c)，通过激光束将衬底加热到第二温度的操作(d)，以及通过从喷淋头向衬底的第一表面喷射第二源气体，通过第二源气体和衬底的改性层之间发生的反应来去除衬底的改性层。