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公开(公告)号：CN117438333A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310575448.5
申请日：2023-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供了一种原子层蚀刻(ALE)方法和原子层蚀刻设备。该方法包括：将具有彼此面对的第一表面和第二表面的衬底装载到卡盘上的操作(a)，通过冷却液将衬底冷却到第一温度的操作(b)，通过从位于卡盘上方的喷淋头向衬底喷射第一源气体，通过第一源气体和衬底的第一表面之间发生的反应来在衬底上形成改性层的操作(c)，通过激光束将衬底加热到第二温度的操作(d)，以及通过从喷淋头向衬底的第一表面喷射第二源气体，通过第二源气体和衬底的改性层之间发生的反应来去除衬底的改性层。
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