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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110880447B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910552879.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
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公开(公告)号：CN1060559A
公开(公告)日：1992-04-22
申请号：CN91104054.4
申请日：1991-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: B29C45/14655 , B29C45/2708 , H01L21/565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种高度可靠的在模制物料中密封半导体器件的密封设备。该密封设备包括一模腔、一浇道和一浇口。模腔由上模具与下模具固定在一起形成。浇道用以输送模制物料。浇口则用以将浇道与模腔连通起来。该密封设备的特点在于，浇口(47a)有一个向模腔倾斜的部分(48a)。模制物料在模腔内的流率可通过调节倾斜部分的斜度妥善加以控制。倾斜部分的斜度最好在20度与35度之间。
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公开(公告)号：CN110872698A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910724828.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。
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公开(公告)号：CN110872698B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910724828.4
申请日：2019-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体制造装置包括工艺室。隔热板将工艺室的内部空间分成第一空间和第二空间，并使第一空间与第二空间热隔离。气体供应部被配置为将工艺气体供应到第一空间。辐射器被配置为加热第一空间。载物台设置在第二空间内，并且载物台被配置为支撑基板。
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公开(公告)号：CN110880447A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910552879.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/458 , C23C16/513
Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。
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