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公开(公告)号:CN1060559A
公开(公告)日:1992-04-22
申请号:CN91104054.4
申请日:1991-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56
CPC classification number: B29C45/14655 , B29C45/2708 , H01L21/565 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种高度可靠的在模制物料中密封半导体器件的密封设备。该密封设备包括一模腔、一浇道和一浇口。模腔由上模具与下模具固定在一起形成。浇道用以输送模制物料。浇口则用以将浇道与模腔连通起来。该密封设备的特点在于,浇口(47a)有一个向模腔倾斜的部分(48a)。模制物料在模腔内的流率可通过调节倾斜部分的斜度妥善加以控制。倾斜部分的斜度最好在20度与35度之间。
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公开(公告)号:CN1199245A
公开(公告)日:1998-11-18
申请号:CN98106601.1
申请日:1998-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82
CPC classification number: H01L28/84 , Y10S438/964
Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤:通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如,硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如,氮化硅),然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成,以防止介电层和下电极之间的反应,也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成,以增大电容量。
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公开(公告)号:CN1130761C
公开(公告)日:2003-12-10
申请号:CN98106601.1
申请日:1998-04-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/84 , Y10S438/964
Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤:通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如,硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如,氮化硅),然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成,以防止介电层和下电极之间的反应,也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成,以增大电容量。
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