公开(公告)号：CN1130761C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤：通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如，硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如，氮化硅)，然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成，以防止介电层和下电极之间的反应，也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成，以增大电容量。

公开(公告)号：CN107342315A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710257304.X

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 中西俊郎 ,  南甲镇 ,  张立杰

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。

公开(公告)号：CN114725282A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111137923.8

申请日：2021-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南甲镇 ,  李荣彬 ,  赵哲珍 ,  崔在亨

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法。所述制造电容器的方法可以包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流。

公开(公告)号：CN116171047A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211471229.4

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南甲镇 ,  具奉珍 ,  穆沙拉特.哈桑 ,  朴建柱 ,  河龙湖

IPC: H10B51/30

Abstract: 根据本发明构思的一种铁电存储器件包括：具有源极/漏极区的基板；在基板上的界面层；在界面层上的高介电层；在高介电层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极层。高介电层和铁电层具有不同晶体结构的相。

公开(公告)号：CN104103638B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410105617.X

申请日：2014-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白圣权 ,  南甲镇 ,  金珍石 ,  闵智英 ,  郑恩爱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供了一种半导体装置及半导体模块。所述半导体装置包括：第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域，设置在半导体基板的活性区域中；以及栅极结构，与活性区域交叉并且设置在第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域之间，所述栅极结构包括：栅电极，具有第一部分和位于第一部分上的第二部分，栅电极位于比活性区域的上表面低的水平面处；绝缘覆盖图案，位于栅电极上；栅极电介质，位于栅电极和活性区域之间；以及空空间，位于活性区域和栅电极的第二部分之间。

公开(公告)号：CN1199245A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤:通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如,硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如,氮化硅),然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成,以防止介电层和下电极之间的反应,也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成,以增大电容量。

公开(公告)号：CN105514165B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201510658801.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩爱 ,  崔正达 ,  中西俊郎 ,  金有彬 ,  南甲镇 ,  李同规 ,  焦广泛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN105514165A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510658801.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩爱 ,  崔正达 ,  中西俊郎 ,  金有彬 ,  南甲镇 ,  李同规 ,  焦广泛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN104103638A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410105617.X

申请日：2014-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白圣权 ,  南甲镇 ,  金珍石 ,  闵智英 ,  郑恩爱

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/7827

Abstract: 提供了一种半导体装置及半导体模块。所述半导体装置包括：第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域，设置在半导体基板的活性区域中；以及栅极结构，与活性区域交叉并且设置在第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域之间，所述栅极结构包括：栅电极，具有第一部分和位于第一部分上的第二部分，栅电极位于比活性区域的上表面低的水平面处；绝缘覆盖图案，位于栅电极上；栅极电介质，位于栅电极和活性区域之间；以及空空间，位于活性区域和栅电极的第二部分之间。