公开(公告)号：CN1030631C

公开(公告)日：1996-01-03

申请号：CN90109275.4

申请日：1990-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋 ,  高在弘 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10835

Abstract: 一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛-沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛-沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛-沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛-沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。

公开(公告)号：CN1148799C

公开(公告)日：2004-05-05

申请号：CN99109548.0

申请日：1999-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 本发明所公开的是使用HSG膜制造电容器的改进的方法，该方法能够使电容量增加，稳定单元特性和得到没有存储节点间的跨接的电容器。该方法使得在其表面具有HSG膜的存储节点的表面的晶相稳定。稳定的晶相能够有力地支持HSG，并由此防止在清洗步骤中HSG膜与存储节点的表面分离。

公开(公告)号：CN1199245A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤:通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如,硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如,氮化硅),然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成,以防止介电层和下电极之间的反应,也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成,以增大电容量。

公开(公告)号：CN1130761C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤：通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如，硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如，氮化硅)，然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成，以防止介电层和下电极之间的反应，也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成，以增大电容量。

公开(公告)号：CN1246726A

公开(公告)日：2000-03-08

申请号：CN99109548.0

申请日：1999-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 本发明所公开的是使用HSG膜制造电容器的改进的方法,该方法能够使电容量增加,稳定单元特性和得到没有存储节点间的跨接的电容器。该方法使得在其表面具有HSG膜的存储节点的表面的晶相稳定。稳定的晶相能够有力地支持HSG,并由此防止在清洗步骤中HSG膜与存储节点的表面分离。

公开(公告)号：CN1059050A

公开(公告)日：1992-02-26

申请号：CN90109275.4

申请日：1990-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晟泰 ,  金景勋 ,  高在弘 ,  崔寿汉

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10817 ,  H01L27/10835

Abstract: 一种高度集成半导体存储器件，包括多个在横向和纵向交替地淀积了堆垛型电容器和组合堆垛一沟道型电容器构成的存储单元。存储单元电容器的第一存储电极延伸覆盖相邻存储单元的电容器的存储电极。在衬底上形成组合堆垛—沟道电容器来增加存储电容量，它允许堆垛型电容器的存储电极延伸以便增大存储电容量。由于堆垛—沟道型电容器和堆垛型电容器的交替安置，防止了堆垛—沟道型电容器的台阶覆盖、漏电流和软误差。