公开(公告)号：CN1392288A

公开(公告)日：2003-01-22

申请号：CN01139965.1

申请日：2001-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金营宽 ,  朴泳旭 ,  李承换

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608

Abstract: 本发明提供一种形成含硅固体薄膜层的原子层沉积方法。将基底置入腔体，此后，将含Si和氨基硅烷的第一反应物注入腔体。该第一反应物的第一部分化学吸附于基底上，第一反应物的第二部分物理吸附于基底上。一个优选方案中，通过吹洗和冲洗腔体，将第一反应物的物理吸附的第二部分从基体上清除。然后将第二反应物注入腔体，这里第二反应物的第一部分与第一反应物的化学吸附的第一部分化学反应，在基底上形成含硅固体。然后从腔体中清除第二反应物的未化学反应部分。一个优选方案中，在基底上形成的含硅固体为薄膜层，如氮化硅层。另一个优选方案中，第一反应物至少为选自Si[N(CH3)2]4，SiH[N(CH3)2]3，SiH2[N(CH3)2]2和SiH3[N(CH3)2]中的一种。第二反应物优选为活性NH3。腔体的压强优选维持在0.01－100乇的范围内，且在优选实施方案中可在整个工艺中保持恒定，或可在四个步骤中的至少一个中改变。上述步骤中的一步或多步可重复进行，以在基底上获得较厚的固体。

公开(公告)号：CN1292431A

公开(公告)日：2001-04-25

申请号：CN00131893.4

申请日：2000-10-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴泳旭 ,  林载顺 ,  崔城济 ,  李相忍

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691

Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法,在这种方法中,在一周期内在基底上形成薄膜,这个周期包括:向装有基底的反应室注入第一反应物,该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体;清除第一反应物,向反应室注入第二反应物;清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜,并防止产生副产品,其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物,清除第二反应物,使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应,来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后,注入第三反应物并被清除,该第三反应物是用于除去杂质,并改善薄膜的化学配比。通过这样做,就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。

公开(公告)号：CN1244716C

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN01139965.1

申请日：2001-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金营宽 ,  朴泳旭 ,  李承换

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31608

Abstract: 本发明提供一种形成含硅固体薄膜层的原子层沉积方法。将基底置入腔体，此后，将含Si和氨基硅烷的第一反应物注入腔体。该第一反应物的第一部分化学吸附于基底上，第一反应物的第二部分物理吸附于基底上。一个优选方案中，通过吹洗和冲洗腔体，将第一反应物的物理吸附的第二部分从基体上清除。然后将第二反应物注入腔体，这里第二反应物的第一部分与第一反应物的化学吸附的第一部分化学反应，在基底上形成含硅固体。然后从腔体中清除第二反应物的未化学反应部分。一个优选方案中，在基底上形成的含硅固体为薄膜层，如氮化硅层。另一个优选方案中，第一反应物至少为选自Si[N(CH3)2]4，SiH[N(CH3)2]3，SiH2[N(CH3)2]2和SiH3[N(CH3)2]中的一种。第二反应物优选为活性NH3。腔体的压强优选维持在1.33-13300Pa(0.01-100乇)的范围内，且在优选实施方案中可在整个工艺中保持恒定，或可在四个步骤中的至少一个中改变。上述步骤中的一步或多步可重复进行，以在基底上获得较厚的固体。

公开(公告)号：CN1180470C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN97118523.9

申请日：1997-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南昇熙 ,  金荣善 ,  朴泳旭

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/28

Abstract: 制作半导体存贮器件电容器下电极的方法。在衬底上形成绝缘膜图形，具有将衬底的预定区域暴露的接触孔。在所形成膜的全表面淀积掺杂非晶硅膜。下电极图形通过光刻成形非晶硅膜而形成。通过清洗从所形成膜去除沾污和表面氧化膜。非晶硅薄层通过将清洗过的所形成膜装入保持高真空的处理室并以预定时间向处理室提供预定气体而淀积到下电极图形的表面上。在非晶硅薄层上许多硅单晶核形成并生长，进而形成具有粗糙表面的下电极。

公开(公告)号：CN1211820A

公开(公告)日：1999-03-24

申请号：CN97118523.9

申请日：1997-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南升熙 ,  金荣善 ,  朴泳旭

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/28

Abstract: 制作半导体存贮器件电容器下电极的方法。在衬底上形成绝缘膜图形,具有将衬底的预定区域暴露的接触孔。在所形成膜的全表面淀积掺杂非晶硅膜。下电极图形通过光刻成形非晶硅膜而形成。通过清洗从所形成膜去除沾污和表面氧化膜。非晶硅薄层通过将清洗过的所形成膜装入保持高真空的处理室并以预定时间向处理室提供预定气体而淀积到下电极图形的表面上。在非晶硅薄层上许多硅单晶核形成并生长,进而形成具有粗糙表面的下电极。

公开(公告)号：CN1312757C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02107879.3

申请日：2002-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金营宽 ,  朴泳旭 ,  李承换

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3142 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T117/1008 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种利用原子层淀积(ALd)形成薄膜的方法。提供一种具有单反应空间的ALD反应器。可以在所述ALD反应器的单反应空间中同时装载一批衬底。然后，在单反应空间中引入含反应剂的气体，在单反应空间内，反应剂的一部分化学吸附到该批衬底的上表面上。然后，从单反应空间中排除未被化学吸附的反应剂。根据本发明的一个实施例，引入含反应剂气体后，在单反应空间内稀释未被化学吸附的反应剂，以便于排除未被化学吸附的反应剂。

公开(公告)号：CN1284747A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00108946.3

申请日：2000-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴兴秀 ,  朴泳旭 ,  李相忍 ,  张允僖 ,  李钟镐 ,  崔城济 ,  李承桓 ,  林载顺 ,  李周远

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。

公开(公告)号：CN1199245A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤:通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如,硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如,氮化硅),然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成,以防止介电层和下电极之间的反应,也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成,以增大电容量。

公开(公告)号：CN1789487A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510136987.0

申请日：2005-12-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐廷勳 ,  朴泳旭 ,  洪镇基 ,  具京范 ,  李殷泽

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02

Abstract: 在一种用于淀积金属化合物层的方法和设备中，在衬底上可以提供第一源气体和第二源气体，以在衬底上淀积第一金属化合物层。第一源气体可以包括金属和卤族元素，以及第二源气体可以包括能与金属反应的第一材料和能与卤族元素反应的第二材料。第一和第二源气体可以以第一流速比提供。通过用不同于第一流速比的第二流速比提供第一和第二源气体，可以在第一金属化合物层上连续地淀积第二金属化合物层。该设备可以包括设为容纳衬底的处理室、供气系统和流速控制装置。

公开(公告)号：CN1234909C

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN00131893.4

申请日：2000-10-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴泳旭 ,  林载顺 ,  崔城济 ,  李相忍

IPC: C23C26/00

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/403 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31691

Abstract: 一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法，在这种方法中，在一周期内在基底上形成薄膜，这个周期包括：向装有基底的反应室注入第一反应物，该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体；清除第一反应物，向反应室注入第二反应物；清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜，并防止产生副产品，其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物，清除第二反应物，使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应，来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后，注入第三反应物并被清除，该第三反应物是用于除去杂质，并改善薄膜的化学配比。通过这样做，就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。