公开(公告)号：CN1130761C

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤：通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如，硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如，氮化硅)，然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成，以防止介电层和下电极之间的反应，也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成，以增大电容量。

公开(公告)号：CN1199245A

公开(公告)日：1998-11-18

申请号：CN98106601.1

申请日：1998-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣善 ,  金景勋 ,  元晳俊 ,  南甲镇 ,  金荣敏 ,  金荣大 ,  朴泳旭 ,  李承恒 ,  李相协 ,  沈世镇 ,  陈裕赞 ,  文周泰 ,  崔珍爽

IPC: H01L21/82

CPC classification number: H01L28/84 ,  Y10S438/964

Abstract: 形成集成电路电容器的方法包括下列步骤:通过在半导体衬底上形成导电层图案(例如,硅层)、然后在其上形成有第一导电类型掺杂剂的半球型颗粒(HSG)硅表面层、来形成电容器的下电极。在下电极上还形成扩散阻挡层(例如,氮化硅),然后在所述扩散阻挡层上形成介电层。扩散阻挡层最好用具有足够厚度的材料制成,以防止介电层和下电极之间的反应,也防止掺杂剂从HSG硅表面层向外扩散到介电层。介电层最好由具有高介电强度的材料形成,以增大电容量。