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公开(公告)号：CN112289846A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010679062.5
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582
Abstract: 一种半导体器件包括设置在衬底上的栅极结构。栅极结构具有第一侧壁和与第一侧壁相反的第二侧壁。第一杂质区域设置在衬底的上部部分内。第一杂质区域与第一侧壁间隔开。第三杂质区域在衬底的上部部分内。第三杂质区域与第二侧壁间隔开。第一沟槽设置在衬底内在第一侧壁和第一杂质区域之间。第一沟槽与第一侧壁间隔开。第一阻挡绝缘图案设置在第一沟槽内。
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公开(公告)号：CN112289846B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202010679062.5
申请日：2020-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括设置在衬底上的栅极结构。栅极结构具有第一侧壁和与第一侧壁相反的第二侧壁。第一杂质区域设置在衬底的上部部分内。第一杂质区域与第一侧壁间隔开。第三杂质区域在衬底的上部部分内。第三杂质区域与第二侧壁间隔开。第一沟槽设置在衬底内在第一侧壁和第一杂质区域之间。第一沟槽与第一侧壁间隔开。第一阻挡绝缘图案设置在第一沟槽内。
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公开(公告)号：CN114695372A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111439122.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11573 , H01L27/11568 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体器件的晶体管，包括隔离区域、设置在隔离区域中的有源区域、在有源区域上沿第二方向延伸的栅极、以及分别在栅极的第一侧和第二侧上的有源区域中沿垂直于第二方向的第一方向延伸的源极和漏极区域。源极和漏极区域包括低浓度源极和漏极掺杂区域，该低浓度源极和漏极掺杂区域包括第一和第二低浓度源极和漏极掺杂区域。源极和漏极区域还包括高浓度源极和漏极掺杂区域，该高浓度源极和漏极掺杂区域分别设置在低浓度源极和漏极掺杂区域中并且具有高于低浓度源极和漏极掺杂区域的掺杂浓度。第一低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第一长度大于第二低浓度源极和漏极掺杂区域在第二方向上的第二长度。
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公开(公告)号：CN114664736A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111478164.1
申请日：2021-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
Abstract: 公开了一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件可以包括：栅电极，所述栅电极位于半导体衬底上；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅电极与所述半导体衬底之间；第一外延层，所述第一外延层设置在所述半导体衬底上并且位于所述栅电极的一侧；第二外延层，所述第二外延层设置在所述半导体衬底上并且位于所述栅电极的相对侧；第一接触插塞，所述第一接触插塞与所述第一外延层的一部分接触；和第二接触插塞，所述第二接触插塞与所述第二外延层的一部分接触。所述第一外延层的顶表面和所述第二外延层的顶表面可以位于比所述栅电极的顶表面高的水平高度处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104103638B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201410105617.X
申请日：2014-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L29/7827
Abstract: 提供了一种半导体装置及半导体模块。所述半导体装置包括：第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域，设置在半导体基板的活性区域中；以及栅极结构，与活性区域交叉并且设置在第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域之间，所述栅极结构包括：栅电极，具有第一部分和位于第一部分上的第二部分，栅电极位于比活性区域的上表面低的水平面处；绝缘覆盖图案，位于栅电极上；栅极电介质，位于栅电极和活性区域之间；以及空空间，位于活性区域和栅电极的第二部分之间。
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公开(公告)号：CN100530692C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610006120.8
申请日：2006-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/24
CPC classification number: H01L29/66833 , H01L21/28282 , H01L29/0843 , H01L29/167 , H01L29/792
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括半导体衬底中的第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域，所述第一掺杂剂区域和所述第二掺杂剂区域掺有从包括Sb、Ga和Bi的组中选择的一种。该半导体存储器件包括设置得与所述第一掺杂剂区域和第二掺杂剂区域接触的绝缘层以及设置得与所述绝缘层接触的栅电极层。
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公开(公告)号：CN114078975A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110934274.8
申请日：2021-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L29/788 , H01L27/11524 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体器件和非易失性存储器件。半导体器件包括：衬底；元件隔离膜，在衬底中限定第一有源区；在第一有源区上的第一栅电极；第一源/漏区，在元件隔离膜和第一栅电极之间位于第一有源区内部；以及隔离接触部，在元件隔离膜中沿与衬底的上表面相交的竖直方向延伸。隔离接触部配置为被施加电压。
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公开(公告)号：CN104103638A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410105617.X
申请日：2014-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L29/4236 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L29/7827
Abstract: 提供了一种半导体装置及半导体模块。所述半导体装置包括：第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域，设置在半导体基板的活性区域中；以及栅极结构，与活性区域交叉并且设置在第一源区域/漏区域和第二源区域/漏区域之间，所述栅极结构包括：栅电极，具有第一部分和位于第一部分上的第二部分，栅电极位于比活性区域的上表面低的水平面处；绝缘覆盖图案，位于栅电极上；栅极电介质，位于栅电极和活性区域之间；以及空空间，位于活性区域和栅电极的第二部分之间。
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