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发明公开
半导体器件和包括该半导体器件的电子系统审中-实审

公开(公告)号：CN114664736A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111478164.1

申请日：2021-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐在和 , 白圣权 , 金鹤善

IPC: H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件可以包括：栅电极，所述栅电极位于半导体衬底上；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅电极与所述半导体衬底之间；第一外延层，所述第一外延层设置在所述半导体衬底上并且位于所述栅电极的一侧；第二外延层，所述第二外延层设置在所述半导体衬底上并且位于所述栅电极的相对侧；第一接触插塞，所述第一接触插塞与所述第一外延层的一部分接触；和第二接触插塞，所述第二接触插塞与所述第二外延层的一部分接触。所述第一外延层的顶表面和所述第二外延层的顶表面可以位于比所述栅电极的顶表面高的水平高度处。

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