公开(公告)号：CN118712192A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410189771.3

申请日：2024-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐正敏 ,  成锡江 ,  李仟颜 ,  李相殷 ,  李赞镐

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

Abstract: 根据本发明构思的实施例的半导体装置包括：第一电源焊盘，其被配置为接收第一电源电压；第二电源焊盘，其被配置为接收第二电源电压，第二电源电压具有比第一电源电压的电平低的电平；信号焊盘，其被配置为交换信号；以及第一静电放电(ESD)二极管，其包括第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域掺杂有第一导电类型的杂质并且连接到第一电源焊盘，第二杂质区域掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质并且连接到信号焊盘，其中，第一杂质区域和第二杂质区域中的至少一个的下表面具有不平坦结构。

公开(公告)号：CN110190056B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201811541111.8

申请日：2018-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌勋 ,  申有哲 ,  林浚熙 ,  白圣权 ,  李赞镐 ,  张源哲 ,  黄善劲

IPC: H10B12/00 ,  H10B43/30

Abstract: 一种半导体器件包括具有易失性存储区和非易失性存储区的基板。易失性存储区包括设置在基板中的单元电容器和连接到单元电容器的单元晶体管。非易失性存储区包括设置在基板上的多个非易失性存储单元。易失性存储区和非易失性存储区被并排设置。

公开(公告)号：CN105206672A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510351040.5

申请日：2015-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在训 ,  朱绿泫 ,  梁亨模 ,  张盛壹 ,  李赞镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件包括：第一有源区；第一栅电极，被构造为沿Y方向延伸以跨过第一有源区，并限定第一源极区和第一漏极区；第一栅极接触件，设置在第一栅电极上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的栅极穿过线上；第一源极接触件，设置在第一源极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的源极穿过线上；以及第一漏极接触件，设置在第一漏极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的漏极穿过线上，其中，所述第一漏极接触件中的至少一个第一漏极接触件设置在被构造为在第一源极接触件之间穿过并且沿与Y方向垂直的X方向平行地延伸的第一虚拟的X直线中的任意一条第一虚拟的X直线上。

公开(公告)号：CN105206672B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201510351040.5

申请日：2015-06-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李在训 ,  朱绿泫 ,  梁亨模 ,  张盛壹 ,  李赞镐

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

Abstract: 一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件包括：第一有源区；第一栅电极，被构造为沿Y方向延伸以跨过第一有源区，并限定第一源极区和第一漏极区；第一栅极接触件，设置在第一栅电极上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的栅极穿过线上；第一源极接触件，设置在第一源极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的源极穿过线上；以及第一漏极接触件，设置在第一漏极区上以排列在沿Y方向延伸的第一虚拟的漏极穿过线上，其中，所述第一漏极接触件中的至少一个第一漏极接触件设置在被构造为在第一源极接触件之间穿过并且沿与Y方向垂直的X方向平行地延伸的第一虚拟的X直线中的任意一条第一虚拟的X直线上。

公开(公告)号：CN110190056A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201811541111.8

申请日：2018-12-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田昌勋 ,  申有哲 ,  林浚熙 ,  白圣权 ,  李赞镐 ,  张源哲 ,  黄善劲

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种半导体器件包括具有易失性存储区和非易失性存储区的基板。易失性存储区包括设置在基板中的单元电容器和连接到单元电容器的单元晶体管。非易失性存储区包括设置在基板上的多个非易失性存储单元。易失性存储区和非易失性存储区被并排设置。