公开(公告)号：CN118284039A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311772870.6

申请日：2023-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  辛瑜暻 ,  郑昌和 ,  李志恩 ,  崔慈允

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置在所述衬底上方；多层电介质结构，所述多层电介质结构被配置为覆盖所述第一电极；以及第二电极，所述第二电极被配置为覆盖所述多层电介质结构。所述多层电介质结构包括多个电介质膜，所述多个电介质膜中的第一电介质膜包括结晶TiO2或结晶SrTiO3，并且所述多个电介质膜中的第二电介质膜与所述第一电介质膜接触并且包括具有四方晶体结构的高k电介质膜。

公开(公告)号：CN114334879A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111180685.9

申请日：2021-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  金海龙 ,  朴瑛琳 ,  赵哲珍

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路装置包括：第一电极层，其包括第一金属并且具有第一热膨胀系数；位于第一电极层上的介电层，该介电层包括包含与第一金属不同的第二金属的第二金属氧化物，并且具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数；以及位于第一电极层和介电层之间的第一应力缓冲层，该第一应力缓冲层包括包含第一金属的第一金属氧化物，并且由于第一电极层的热应力和介电层的热应力而形成。

公开(公告)号：CN114256418A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110670117.0

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  林载顺 ,  崔在亨 ,  朴正敏

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种电容器和DRAM装置，电容器包括：下电极；介电层结构，位于下电极上，介电层结构包括顺序地堆叠的第一氧化锆层、氧化铪层和第二氧化锆层；以及上电极，位于介电层结构上，其中，氧化铪层具有四方晶相或正交晶相。

公开(公告)号：CN117241662A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310558307.2

申请日：2023-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  朴瑛琳 ,  郑圭镐

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了电容器结构、半导体存储器装置和制造该结构的方法。所述电容器结构包括下电极和上电极、以及置于下电极与上电极之间的电容器介电膜。下电极包括：下电极膜，包括第一金属元素；第一掺杂氧化物膜，包括第一金属元素的氧化物和第二金属元素；以及第一金属氧化物膜。第一金属氧化物膜包括第一金属元素的氧化物并且不含第二金属元素。上电极包括：上电极膜，包括第一金属元素；第二掺杂氧化物膜，包括第一金属元素的氧化物和第二金属元素；以及第二金属氧化物膜，包括第一金属元素的氧化物并且不含第二金属元素。

公开(公告)号：CN115568279A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210656561.1

申请日：2022-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  白东官 ,  赵哲珍

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 电容器可以包括：下电极；介电层结构，在下电极上；以及上电极，在介电层结构上。介电层结构可以包括多个介电层和在多个介电层中的介电层之间的至少一个插入层结构。插入层结构可以包括多个氧化锆层和至少一个插入层。插入层可以在多个氧化锆层中的氧化锆层之间。电容器可以具有高电容和低漏电流。

公开(公告)号：CN116367706A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211657948.5

申请日：2022-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  辛瑜暻 ,  郑昌和 ,  金铉埈 ,  林汉镇

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 描述了一种电容器。电容器包括：下电极；介电层结构，设置在下电极上；以及上电极，设置在介电层结构上。介电层结构包括第一介电层、接触第一介电层的第二介电层、以及接触第二介电层的第三介电层。第一介电层、第二介电层和第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料。第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的材料。

公开(公告)号：CN114784004A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202111573504.9

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  郑圭镐 ,  赵哲珍

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置包括：着陆焊盘，其位于衬底上；下电极，其位于着陆焊盘上并且连接到着陆焊盘；电容器电介质膜，其位于下电极上并且包括四方晶系和斜方晶系二者；第一掺杂层，其位于下电极和电容器电介质膜之间并且包括第一金属；以及上电极，其位于电容器电介质膜上。

公开(公告)号：CN114725282A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111137923.8

申请日：2021-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南甲镇 ,  李荣彬 ,  赵哲珍 ,  崔在亨

IPC: H01L49/02 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造包括电容器的半导体器件的方法。所述制造电容器的方法可以包括：形成第一电极；在所述第一电极上形成介电层；在所述介电层上形成第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间施加在所述电容器的工作期间施加的工作电压范围之外的电压或者在所述电容器的工作期间施加的工作电流范围之外的电流。

公开(公告)号：CN116744673A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310252816.2

申请日：2023-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉埈 ,  金河沇 ,  赵哲珍

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、衬底上的下电极、覆盖下电极的介电层、以及覆盖介电层的上电极。介电层包括与下电极接触的第一区域、与上电极接触的第二区域、以及在第一区域和第二区域之间的第三区域。第三区域包括第一插入层，第一插入层包括第一氧化物和第二氧化物，第一氧化物包括具有第一价的第一金属，第二氧化物包括具有第二价的第二金属，第二价与第一价不同。介电层的厚度为约#imgabs0#至约#imgabs1#第一插入层的厚度为约#imgabs2#至约#imgabs3#第二金属与介电层中的总元素的比率为约5at％至约15at％。

公开(公告)号：CN115942864A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211159014.9

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  金铉埈 ,  辛瑜暻 ,  徐锺汎 ,  郑昌和

IPC: H10N97/00

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造半导体装置的方法。所述制造电容器的方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极。在下电极上形成均质氧化物层。在均质氧化物层上形成介电层。在介电层上形成上电极。均质氧化物层的形成步骤包括将均质氧化物层形成循环执行至少一次。均质氧化物层形成循环包括供应氧化剂、清除氧化剂和泵出反应空间。