公开(公告)号：CN118284039A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311772870.6

申请日：2023-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  辛瑜暻 ,  郑昌和 ,  李志恩 ,  崔慈允

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置在所述衬底上方；多层电介质结构，所述多层电介质结构被配置为覆盖所述第一电极；以及第二电极，所述第二电极被配置为覆盖所述多层电介质结构。所述多层电介质结构包括多个电介质膜，所述多个电介质膜中的第一电介质膜包括结晶TiO2或结晶SrTiO3，并且所述多个电介质膜中的第二电介质膜与所述第一电介质膜接触并且包括具有四方晶体结构的高k电介质膜。

公开(公告)号：CN116367706A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211657948.5

申请日：2022-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  辛瑜暻 ,  郑昌和 ,  金铉埈 ,  林汉镇

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 描述了一种电容器。电容器包括：下电极；介电层结构，设置在下电极上；以及上电极，设置在介电层结构上。介电层结构包括第一介电层、接触第一介电层的第二介电层、以及接触第二介电层的第三介电层。第一介电层、第二介电层和第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料。第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的材料。

公开(公告)号：CN115942864A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211159014.9

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  金铉埈 ,  辛瑜暻 ,  徐锺汎 ,  郑昌和

IPC: H10N97/00

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造半导体装置的方法。所述制造电容器的方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极。在下电极上形成均质氧化物层。在均质氧化物层上形成介电层。在介电层上形成上电极。均质氧化物层的形成步骤包括将均质氧化物层形成循环执行至少一次。均质氧化物层形成循环包括供应氧化剂、清除氧化剂和泵出反应空间。

公开(公告)号：CN115588659A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210781489.5

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  白东官 ,  辛瑜暻 ,  崔原湜

IPC: H01L23/64 ,  H10B99/00 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明提供一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件。电容器结构包括下电极、上电极以及插设在下电极和上电极之间的电容器电介质膜，其中下电极包括包含第一金属元素的电极膜，以及在电极膜和电容器电介质膜之间的包含第一金属元素的氧化物的掺杂的氧化物膜，掺杂的氧化物膜进一步包括第二金属元素和杂质元素，第二金属元素包括第5族至第11族和第15族金属元素中的至少一种，杂质元素包括硅(Si)、铝(Al)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种。