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公开(公告)号：CN108807345A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810369447.4
申请日：2018-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/02244 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02356 , H01L21/02362 , H01L28/91 , H01L28/40 , H01G4/10
Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。
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公开(公告)号：CN114729448A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202180006854.9
申请日：2021-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C16/44 , C23C16/52
Abstract: 根据本发明的实施例的沉积系统包括：反应室；气体供应单元，其用于将气态前体供应到反应室；反应物供应单元，其用于将与前体反应的反应物供应到反应室；以及排放单元，其用于从反应室排出排放物，其中：气体供应单元包括顺序地连接的副箱、液体流量控制器和蒸发器；前体借助于自动填充系统以液态填充到气体供应单元的副箱中，并且经由副箱、液体流量控制器和蒸发器被供应到反应室；并且排放单元包括应用等离子体预处理系统的处理工艺室、泵和洗涤器，从而稳定地供应前体而不更换罐，提高泵的寿命，并且提高洗涤器的效率。因此，通过使用根据本发明的实施例的沉积系统，从大规模生产的视角来看，可以提高设备的维护和管理的容易性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113964269A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111189869.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02
Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。
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公开(公告)号：CN113130750A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011517369.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L49/02 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 公开了电容器结构及其形成方法以及半导体装置及其制造方法。所述电容器结构可以包括位于基底上的下电极、位于基底上的介电层以及位于介电层上的上电极。下电极可以包括具有化学式M1Ny(M1是第一金属，y是正实数)的金属氮化物。介电层可以包括金属氧化物和氮(N)，金属氧化物具有化学式M2Ox(M2是第二金属，x是正实数)。介电层中的氮(N)的检测量的最大值可以比下电极中的氮(N)的检测量的最大值大。
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公开(公告)号：CN115588659A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210781489.5
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H10B99/00 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件。电容器结构包括下电极、上电极以及插设在下电极和上电极之间的电容器电介质膜，其中下电极包括包含第一金属元素的电极膜，以及在电极膜和电容器电介质膜之间的包含第一金属元素的氧化物的掺杂的氧化物膜，掺杂的氧化物膜进一步包括第二金属元素和杂质元素，第二金属元素包括第5族至第11族和第15族金属元素中的至少一种，杂质元素包括硅(Si)、铝(Al)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种。
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