公开(公告)号：CN113260971B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN201980087475.X

申请日：2019-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪周焕 ,  裴相俊 ,  曹圭镐 ,  李文根

IPC: G06F3/0488 ,  G06F3/04845 ,  G06F3/147 ,  G06V30/226 ,  G09G5/14 ,  G09G5/373 ,  G09G5/377 ,  H04L12/28

Abstract: 公开了一种电子设备。一种电子设备包括：显示器，该显示器被设置在电子设备的前表面上；存储器；通信接口，该通信接口包括电路；以及处理器，用于在显示器上提供板屏幕，当通过通信接口接收到图像时，基于图像的分辨率信息识别图像的显示尺寸，基于所识别出的显示尺寸将图像添加到板屏幕上，当检测到针对图像的第一触摸输入时，调整图像的显示位置或显示尺寸中的至少一者以与第一触摸输入相对应，以及当检测到针对板屏幕的第二触摸输入时，将与第二触摸输入相对应的绘图对象添加到板屏幕上。

公开(公告)号：CN113260971A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201980087475.X

申请日：2019-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪周焕 ,  裴相俊 ,  曹圭镐 ,  李文根

IPC: G06F3/0484 ,  G06F3/0481 ,  G06F3/0482 ,  G06F3/0488 ,  G06F3/14 ,  G06K9/00

Abstract: 公开了一种电子设备。一种电子设备包括：显示器，该显示器被设置在电子设备的前表面上；存储器；通信接口，该通信接口包括电路；以及处理器，用于在显示器上提供板屏幕，当通过通信接口接收到图像时，基于图像的分辨率信息识别图像的显示尺寸，基于所识别出的显示尺寸将图像添加到板屏幕上，当检测到针对图像的第一触摸输入时，调整图像的显示位置或显示尺寸中的至少一者以与第一触摸输入相对应，以及当检测到针对板屏幕的第二触摸输入时，将与第二触摸输入相对应的绘图对象添加到板屏幕上。

公开(公告)号：CN110931468B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910822831.X

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  柳承旻 ,  禹昌秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。

公开(公告)号：CN110931467B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201910777718.4

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  姜相列 ,  曹圭镐 ,  金恩善 ,  文孝植

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造半导体器件的方法包括：形成第一电极；在第一电极上形成初始介电层；在初始介电层上形成第二电极；以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之间的界面能。

公开(公告)号：CN110504241A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。

公开(公告)号：CN102543964A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110364899.1

申请日：2011-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五成 ,  曹圭镐 ,  金完敦 ,  金汎锡 ,  卓容奭

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10876 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了电容器及其形成方法、半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置中的电容器包括：下电极，形成在基板上，所述下电极由具有金红石晶体结构的导电金属氧化物形成；氧化钛介电层，在下电极上，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并包括用于减小漏电流的杂质；上电极，位于氧化钛介电层上。一种形成半导体存储器装置中的电容器的方法包括以下步骤：在基板上形成下电极，所述下电极包括具有金红石晶体结构的导电金属氧化物；在下电极上形成氧化钛介电层，氧化钛介电层具有金红石晶体结构并具有用于减小漏电流的杂质；在氧化钛介电层上形成上电极。

公开(公告)号：CN109216328B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201810705802.0

申请日：2018-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  曹圭镐 ,  林汉镇

IPC: H01L23/64

Abstract: 公开了一种半导体器件，其包括顺序地设置在衬底上的底电极、电介质层和顶电极。电介质层包括铪氧化物层和氧化籽晶层，铪氧化物层包含具有四方晶体结构的铪氧化物，氧化籽晶层包含氧化籽晶材料。氧化籽晶材料具有一晶格常数，该晶格常数与具有四方晶体结构的铪氧化物的水平晶格常数和垂直晶格常数中的一个拥有6％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN110034099B

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN201810971335.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  首尔大学校产学协力团

Inventor： 姜相列 ,  曹圭镐 ,  林汉镇 ,  黄澈盛

IPC: H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。

公开(公告)号：CN110931468A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910822831.X

申请日：2019-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润洙 ,  柳承旻 ,  禹昌秀 ,  丁炯硕 ,  曹圭镐 ,  曹仑廷

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。

公开(公告)号：CN110034099A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201810971335.6

申请日：2018-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜相列 ,  曹圭镐 ,  林汉镇 ,  黄澈盛

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/108

Abstract: 本公开提供了一种包括电容器的半导体器件。该半导体器件包括：在基板上的开关元件；在开关元件上的焊盘隔离层；导电焊盘，穿过焊盘隔离层并电连接到开关元件；绝缘图案，在焊盘隔离层上并具有比水平宽度大的高度；下电极，在绝缘图案的侧表面上并与导电焊盘接触；电容器电介质层，在下电极上并具有单晶电介质层和多晶电介质层，该单晶电介质层与该多晶电介质层相比相对靠近绝缘图案的侧表面；以及上电极，在电容器电介质层上。