-
公开(公告)号：CN119864347A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410740004.7
申请日：2024-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件包括：电容器结构，所述电容器结构包括：底电极；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述底电极上；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层上；第三电介质层，所述第三电介质层位于所述第二电介质层上；以及顶电极，所述顶电极位于所述第三电介质层上，其中所述第一电介质层和所述第三电介质层中的每一者包括氧化锆，所述第二电介质层包括氧化铪锆，并且所述第一电介质层、所述第二电介质层和所述第三电介质层中的每一者包括第一晶相和第二晶相。
-
-
公开(公告)号：CN112309831A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010730842.8
申请日：2020-07-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 公开形成氧化物膜的方法、制造半导体器件的方法、形成介电膜的方法和半导体器件，所述氧化物膜包括至少两种非氧元素。形成包括至少两种非氧元素的方法包括将第一源材料提供在基材上，所述第一源材料包括第一中心元素；提供电子给体化合物以与所述第一源材料结合；在提供所述电子给体化合物之后将第二源材料提供在所述基材上，所述第二源材料包括第二中心元素；和将氧化剂提供在所述基材上。
-
公开(公告)号：CN107464807B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710407365.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
-
公开(公告)号：CN107464807A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710407365.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
-
Patent Agency Ranking
-
-
-
公开(公告)号：CN118610197A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410235952.5
申请日：2024-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了电容器结构和包括电容器结构的半导体器件。所述电容器结构包括：下电极，所述下电极位于衬底上；支撑层，所述支撑层位于所述下电极的侧壁上，并且包括绝缘材料；界面结构，所述界面结构具有第一界面图案和第二界面图案，所述第一界面图案位于所述下电极的侧壁上，并且包括第一金属，所述第二界面图案包括位于所述第一界面图案的外侧壁上的第一部分和位于所述支撑层的表面上的第二部分，并且包括第二金属的氧化物；电介质图案，所述电介质图案位于所述界面结构上；以及上电极，所述上电极位于所述电介质图案上，其中所述第二界面图案的所述第二部分还包括所述第一金属。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.033 seconds)
