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公开(公告)号：CN119864347A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202410740004.7
申请日：2024-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64
Abstract: 一种半导体器件包括：电容器结构，所述电容器结构包括：底电极；第一电介质层，所述第一电介质层位于所述底电极上；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层上；第三电介质层，所述第三电介质层位于所述第二电介质层上；以及顶电极，所述顶电极位于所述第三电介质层上，其中所述第一电介质层和所述第三电介质层中的每一者包括氧化锆，所述第二电介质层包括氧化铪锆，并且所述第一电介质层、所述第二电介质层和所述第三电介质层中的每一者包括第一晶相和第二晶相。
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