公开(公告)号：CN116367706A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211657948.5

申请日：2022-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  辛瑜暻 ,  郑昌和 ,  金铉埈 ,  林汉镇

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 描述了一种电容器。电容器包括：下电极；介电层结构，设置在下电极上；以及上电极，设置在介电层结构上。介电层结构包括第一介电层、接触第一介电层的第二介电层、以及接触第二介电层的第三介电层。第一介电层、第二介电层和第三介电层中的每一个包括具有晶体结构的材料。第二介电层包括具有铁电或反铁电特性的氧化物，并且第二介电层包括混合了至少两种不同晶相的材料。

公开(公告)号：CN118284039A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311772870.6

申请日：2023-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  辛瑜暻 ,  郑昌和 ,  李志恩 ,  崔慈允

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置在所述衬底上方；多层电介质结构，所述多层电介质结构被配置为覆盖所述第一电极；以及第二电极，所述第二电极被配置为覆盖所述多层电介质结构。所述多层电介质结构包括多个电介质膜，所述多个电介质膜中的第一电介质膜包括结晶TiO2或结晶SrTiO3，并且所述多个电介质膜中的第二电介质膜与所述第一电介质膜接触并且包括具有四方晶体结构的高k电介质膜。

公开(公告)号：CN110504241B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。

公开(公告)号：CN117355132A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310779989.X

申请日：2023-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  闵淙渶 ,  白智睿 ,  李睿璱 ,  李真旭 ,  郑昌和

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造集成电路器件的方法，可以包括：在衬底之上形成多个下电极；形成被配置为支撑多个下电极的支撑体；在多个下电极和支撑体上形成介电膜；以及在介电膜上形成上电极。介电膜可以包括在多个下电极的每个的外表面和支撑体的外表面上的下泄漏电流防止层、在下泄漏电流防止层上的第一电容器材料层、在第一电容器材料层上的上材料层以及在上材料层上的第二电容器材料层。

公开(公告)号：CN115942864A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211159014.9

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  金铉埈 ,  辛瑜暻 ,  徐锺汎 ,  郑昌和

IPC: H10N97/00

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造半导体装置的方法。所述制造电容器的方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极。在下电极上形成均质氧化物层。在均质氧化物层上形成介电层。在介电层上形成上电极。均质氧化物层的形成步骤包括将均质氧化物层形成循环执行至少一次。均质氧化物层形成循环包括供应氧化剂、清除氧化剂和泵出反应空间。

公开(公告)号：CN110504241A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。