公开(公告)号：CN112750950A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011153547.7

申请日：2020-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敞茂 ,  姜相列 ,  朴瑛琳 ,  徐锺汎 ,  安世衡

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置可以包括接地垫和下电极，下电极位于接地垫上且连接到接地垫并且包括外部部分和在外部部分内部的内部部分。外部部分包括第一区域和第二区域。半导体装置还可以包括下电极的外部部分的第一区域上的介电膜和位于介电膜上的上电极。下电极的外部部分的第一区域可以包括硅(Si)掺杂剂，介电膜不沿着外部部分的第二区域延伸。外部部分的第一区域中的硅掺杂剂的浓度不同于外部部分的第二区域中的硅掺杂剂的浓度并且比内部部分中的硅掺杂剂的浓度高。

公开(公告)号：CN115942864A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211159014.9

申请日：2022-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  金铉埈 ,  辛瑜暻 ,  徐锺汎 ,  郑昌和

IPC: H10N97/00

Abstract: 提供了制造电容器的方法和制造半导体装置的方法。所述制造电容器的方法包括：在反应空间中在半导体基底上形成下电极。在下电极上形成均质氧化物层。在均质氧化物层上形成介电层。在介电层上形成上电极。均质氧化物层的形成步骤包括将均质氧化物层形成循环执行至少一次。均质氧化物层形成循环包括供应氧化剂、清除氧化剂和泵出反应空间。