公开(公告)号：CN108807345A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L23/64 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02362 ,  H01L28/91 ,  H01L28/40 ,  H01G4/10

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。

公开(公告)号：CN108807345B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN201810369447.4

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L49/02

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间；以及籽晶层，设置在第一电极和电介质层之间。电介质层包括具有四方晶体结构的电介质材料。籽晶层包括满足晶格常数条件或键长条件中的至少一个的籽晶材料。

公开(公告)号：CN110504241A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。

公开(公告)号：CN110504241B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。

公开(公告)号：CN113964269A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111189869.1

申请日：2018-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  文瑄敏 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  全柱炫

IPC: H01L49/02

Abstract: 电容器包括：彼此间隔开的第一电极和第二电极；电介质层，设置在第一电极和第二电极之间，电介质层包括铪和锆中至少之一；第一插入层，设置在第一电极和电介质层之间；以及第二插入层，设置在电介质层和第二电极之间。第一插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第一导电材料。第二插入层包括与形成电介质层的铪或锆不同的第二导电材料。第一导电材料和第二导电材料各自的晶格常数与电介质层的电介质材料的水平晶格常数具有2％或更小的晶格失配。

公开(公告)号：CN112750833A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011169193.5

申请日：2020-10-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安敞茂 ,  姜相列 ,  朴瑛琳 ,  徐钟汎 ,  安世衡

IPC: H01L27/108 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了一种半导体装置。半导体装置包括：接地垫，位于基底上；下电极，位于接地垫上，下电极电连接到接地垫；介电层，位于下电极上，介电层沿下电极的轮廓延伸；上电极，位于介电层上；以及上板电极，位于上电极上并在其中包括第一氟(F)，其中，上板电极包括面对上电极的界面，并且其中，上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。