-
公开(公告)号:CN118284039A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202311772870.6
申请日:2023-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括:衬底;第一电极,所述第一电极设置在所述衬底上方;多层电介质结构,所述多层电介质结构被配置为覆盖所述第一电极;以及第二电极,所述第二电极被配置为覆盖所述多层电介质结构。所述多层电介质结构包括多个电介质膜,所述多个电介质膜中的第一电介质膜包括结晶TiO2或结晶SrTiO3,并且所述多个电介质膜中的第二电介质膜与所述第一电介质膜接触并且包括具有四方晶体结构的高k电介质膜。