公开(公告)号：CN118610197A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410235952.5

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵天钦 ,  文瑄敏 ,  白东官 ,  蒋在完

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了电容器结构和包括电容器结构的半导体器件。所述电容器结构包括：下电极，所述下电极位于衬底上；支撑层，所述支撑层位于所述下电极的侧壁上，并且包括绝缘材料；界面结构，所述界面结构具有第一界面图案和第二界面图案，所述第一界面图案位于所述下电极的侧壁上，并且包括第一金属，所述第二界面图案包括位于所述第一界面图案的外侧壁上的第一部分和位于所述支撑层的表面上的第二部分，并且包括第二金属的氧化物；电介质图案，所述电介质图案位于所述界面结构上；以及上电极，所述上电极位于所述电介质图案上，其中所述第二界面图案的所述第二部分还包括所述第一金属。

公开(公告)号：CN115588659A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210781489.5

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  姜相列 ,  金洙焕 ,  白东官 ,  辛瑜暻 ,  崔原湜

IPC: H01L23/64 ,  H10B99/00 ,  H01L27/105

Abstract: 本发明提供一种电容器结构和包括该电容器结构的半导体存储器件。电容器结构包括下电极、上电极以及插设在下电极和上电极之间的电容器电介质膜，其中下电极包括包含第一金属元素的电极膜，以及在电极膜和电容器电介质膜之间的包含第一金属元素的氧化物的掺杂的氧化物膜，掺杂的氧化物膜进一步包括第二金属元素和杂质元素，第二金属元素包括第5族至第11族和第15族金属元素中的至少一种，杂质元素包括硅(Si)、铝(Al)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少一种。

公开(公告)号：CN114729448A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202180006854.9

申请日：2021-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洙焕 ,  金铉埈 ,  朴瑛琳 ,  白东官 ,  丁炯硕

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52

Abstract: 根据本发明的实施例的沉积系统包括：反应室；气体供应单元，其用于将气态前体供应到反应室；反应物供应单元，其用于将与前体反应的反应物供应到反应室；以及排放单元，其用于从反应室排出排放物，其中：气体供应单元包括顺序地连接的副箱、液体流量控制器和蒸发器；前体借助于自动填充系统以液态填充到气体供应单元的副箱中，并且经由副箱、液体流量控制器和蒸发器被供应到反应室；并且排放单元包括应用等离子体预处理系统的处理工艺室、泵和洗涤器，从而稳定地供应前体而不更换罐，提高泵的寿命，并且提高洗涤器的效率。因此，通过使用根据本发明的实施例的沉积系统，从大规模生产的视角来看，可以提高设备的维护和管理的容易性。

公开(公告)号：CN115568279A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210656561.1

申请日：2022-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  白东官 ,  赵哲珍

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 电容器可以包括：下电极；介电层结构，在下电极上；以及上电极，在介电层结构上。介电层结构可以包括多个介电层和在多个介电层中的介电层之间的至少一个插入层结构。插入层结构可以包括多个氧化锆层和至少一个插入层。插入层可以在多个氧化锆层中的氧化锆层之间。电容器可以具有高电容和低漏电流。