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公开(公告)号：CN107464807B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201710407365.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN107464807A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710407365.X
申请日：2017-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件，包括衬底上的下电极、在下电极上的电容器介电层和在电容器介电层上的上电极。电容器介电层包括在下电极上的基础层和在基础层的至少一部分中的电介质颗粒层。基础层包括第一电介质材料，电介质颗粒层沿电容器介电层的厚度方向至少部分连续地延伸并且包括不同于第一电介质材料的第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN108930028B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201810223693.9
申请日：2018-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。
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公开(公告)号：CN108930028A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810223693.9
申请日：2018-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。
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