公开(公告)号：CN112310201A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010708917.2

申请日：2020-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安皓均 ,  金范洙 ,  金泫昇 ,  焦广泛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括衬底、界面绝缘图案、栅极绝缘图案、阈值电压控制金属图案和导电图案。界面绝缘图案可以形成在衬底上。包括氧化物的栅极绝缘图案可以形成在界面绝缘图案上，该氧化物具有比硅氧化物的介电常数高的介电常数。阈值电压控制金属图案可以形成在栅极绝缘图案上。导电图案可以形成在阈值电压控制金属图案上。至少包括氟的第一掺杂剂可以被包括在栅极绝缘图案内和栅极绝缘图案的至少下表面处以及在界面绝缘图案的与栅极绝缘图案接触的上表面处。该半导体器件可以具有优异的电特性。

公开(公告)号：CN112310201B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202010708917.2

申请日：2020-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安皓均 ,  金范洙 ,  金泫昇 ,  焦广泛

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括衬底、界面绝缘图案、栅极绝缘图案、阈值电压控制金属图案和导电图案。界面绝缘图案可以形成在衬底上。包括氧化物的栅极绝缘图案可以形成在界面绝缘图案上，该氧化物具有比硅氧化物的介电常数高的介电常数。阈值电压控制金属图案可以形成在栅极绝缘图案上。导电图案可以形成在阈值电压控制金属图案上。至少包括氟的第一掺杂剂可以被包括在栅极绝缘图案内和栅极绝缘图案的至少下表面处以及在界面绝缘图案的与栅极绝缘图案接触的上表面处。该半导体器件可以具有优异的电特性。

公开(公告)号：CN105514165B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201510658801.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩爱 ,  崔正达 ,  中西俊郎 ,  金有彬 ,  南甲镇 ,  李同规 ,  焦广泛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。

公开(公告)号：CN105514165A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510658801.1

申请日：2015-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑恩爱 ,  崔正达 ,  中西俊郎 ,  金有彬 ,  南甲镇 ,  李同规 ,  焦广泛

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括基板，该基板具有逻辑器件区域和邻近逻辑器件区域的输入/输出(I/O)器件区域，该逻辑器件区域上包括逻辑器件，该I/O器件区域上包括I/O器件。在逻辑器件区域上的第一鳍型场效应晶体管(FinFET)包括从基板突出的第一半导体鳍以及三栅结构，该三栅结构具有第一栅介电层和在第一栅介电层上的第一栅电极。在I/O器件区域上的第二FinFET包括从基板突出的第二半导体鳍以及双栅结构，该双栅结构具有第二栅介电层和在第二栅介电层上的第二栅电极。第一和第二栅介电层具有不同的厚度。相关的器件和制造方法也被讨论。