公开(公告)号：CN107342315A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710257304.X

申请日：2017-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 中西俊郎 ,  南甲镇 ,  张立杰

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：漏区和源区，彼此间隔开；半导体图案，设置在漏区与源区之间，并且包括第一区域和第二区域，其中，第一区域的厚度大于第二区域的厚度，第一区域设置在漏区与第二区域之间；栅电极，与半导体图案交叉。