公开(公告)号：CN119725145A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410450941.9

申请日：2024-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉培 ,  李柱昊 ,  姜泂模 ,  金京善 ,  金南均 ,  罗栋铉 ,  南象基 ,  李现宰 ,  郑贤学

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  C23C16/517 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 一种衬底处理方法，包括：将衬底放置在衬底处理装置中；向衬底处理装置施加源功率；以及向衬底处理装置施加偏压功率，其中，向衬底处理装置施加源功率包括：利用具有第一周期的第一脉冲向衬底处理装置提供第一射频(RF)功率；以及利用具有第二周期的第二脉冲向衬底处理装置提供第二RF功率，其中，第一周期比第二周期长。

公开(公告)号：CN109411386B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810805363.0

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昭荣 ,  李现宰 ,  金益秀 ,  李章熙

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

Abstract: 提供了前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法。所述前体供应单元可包括：外部容器；内部容器，设置在所述外部容器中并且用于储存前体源；具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体。

公开(公告)号：CN109411386A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201810805363.0

申请日：2018-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昭荣 ,  李现宰 ,  金益秀 ,  李章熙

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/4483 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67011

Abstract: 提供了前体供应单元、基板处理系统和制造半导体器件的方法。所述前体供应单元可包括：外部容器；内部容器，设置在所述外部容器中并且用于储存前体源；具有注入口的气体注入线路，用于将载气提供到所述外部容器中；以及具有排放口的气体排放线路，用于排放所述外部容器中的所述载气和从所述前体源产生的前体。