公开(公告)号：CN110690096B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201910495744.8

申请日：2019-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  金道源 ,  罗栋铉 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座，具有第一孔；上盘，设置在吸盘基座上，上盘具有与第一孔对准的第二孔；以及粘合层，将上盘附着到吸盘基座，粘合层具有小于第一孔的直径并且等于第二孔的直径的厚度。

公开(公告)号：CN110690096A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910495744.8

申请日：2019-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  金道源 ,  罗栋铉 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 提供了静电吸盘、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座，具有第一孔；上盘，设置在吸盘基座上，上盘具有与第一孔对准的第二孔；以及粘合层，将上盘附着到吸盘基座，粘合层具有小于第一孔的直径并且等于第二孔的直径的厚度。

公开(公告)号：CN119725145A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410450941.9

申请日：2024-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉培 ,  李柱昊 ,  姜泂模 ,  金京善 ,  金南均 ,  罗栋铉 ,  南象基 ,  李现宰 ,  郑贤学

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  C23C16/517 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 一种衬底处理方法，包括：将衬底放置在衬底处理装置中；向衬底处理装置施加源功率；以及向衬底处理装置施加偏压功率，其中，向衬底处理装置施加源功率包括：利用具有第一周期的第一脉冲向衬底处理装置提供第一射频(RF)功率；以及利用具有第二周期的第二脉冲向衬底处理装置提供第二RF功率，其中，第一周期比第二周期长。

公开(公告)号：CN119673735A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411078505.X

申请日：2024-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李志模 ,  金京善 ,  罗栋铉 ,  宋重泫 ,  申明修 ,  沈承辅 ,  尹贵玹 ,  李埈昊 ,  千雄振 ,  韩东锡

IPC: H01J37/248 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理装置，包括：等离子体室；射频(RF)电源，被配置为在等离子体室中产生等离子体；电磁体，被配置为向等离子体施加磁场；以及脉冲电流产生器，被配置为向电磁体提供脉冲电流，其中，脉冲电流的每个周期包括第一部分和第一部分之后的第二部分，并且脉冲电流产生器还被配置为：在第一部分处以第一方向向电磁体提供脉冲电流以产生磁场，并且在第二部分处以与第一方向相反的第二方向向电磁体提供脉冲电流以降低在第一部分处产生的磁场的强度。

公开(公告)号：CN111430208B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。

公开(公告)号：CN117476425A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310559036.2

申请日：2023-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  金宰彬 ,  申明修 ,  韩东锡 ,  金京善 ,  金南均 ,  金宰成 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：晶片支撑固定件，在腔室中，并且被配置为支撑晶片；上电极，在腔室中，并且与晶片支撑固定件间隔开；磁体组件，被配置为将磁场施加到腔室中，磁体组件包括布置为环形形状的多个第一磁体和多个第二磁体，以及从腔室的中心轴到多个第一磁体中的每个第一磁体和到多个第二磁体中的每个第二磁体的水平距离小于晶片的半径。

公开(公告)号：CN111430208A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。