公开(公告)号：CN116564782A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202211386948.6

申请日：2022-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  金道源 ,  任志洙 ,  卢泳辰 ,  朴哲佑 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  C23C16/505 ,  C23C16/455

Abstract: 公开的是等离子体导流板、衬底处理装置和衬底处理方法。所述等离子体导流板包括：下环；上环，所述上环在俯视图中位于所述下环外部并且垂直地延伸；以及中间环，所述中间环从所述下环延伸到所述上环以相对于水平方向形成锐角。所述下环包括：下中央孔，所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心；以及多个下狭缝，所述多个下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环。所述中间环提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外侧表面的中间狭缝。所述多个下狭缝与所述下环的面积比等于或大于大约59％。

公开(公告)号：CN111180303B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201910883431.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  金教赫 ,  金晓星 ,  宣钟宇 ,  沈承辅 ,  李炅勋 ,  李在铉 ,  任志洙 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。

公开(公告)号：CN111211080A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910677365.0

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  崔明善 ,  许敏宁 ,  沈承辅 ,  李在学

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了静电吸盘和包括该静电吸盘的等离子体处理装置。所述静电吸盘包括：吸盘基座；上板，设置在吸盘基座上；以及内板，设置在吸盘基座和上板之间。内板的第一直径小于上板的第二直径。

公开(公告)号：CN111180303A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910883431.X

申请日：2019-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李恩雨 ,  金教赫 ,  金晓星 ,  宣钟宇 ,  沈承辅 ,  李炅勋 ,  李在铉 ,  任志洙 ,  许敏宁

IPC: H01J37/32

Abstract: 等离子体处理设备包括基板卡盘、聚焦环和边缘块，基板卡盘具有用于支撑基板的第一表面、与第一表面相对的第二表面及侧壁，聚焦环用于包围基板的周界；边缘块用于支撑聚焦环。所述边缘块包括位于基板卡盘的侧壁上的侧电极和位于基板卡盘的第二表面上的底电极。

公开(公告)号：CN111430208B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。

公开(公告)号：CN111211080B

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN201910677365.0

申请日：2019-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕祐 ,  卢泳辰 ,  崔明善 ,  许敏宁 ,  沈承辅 ,  李在学

IPC: H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 提供了静电吸盘和包括该静电吸盘的等离子体处理装置。所述静电吸盘包括：吸盘基座；上板，设置在吸盘基座上；以及内板，设置在吸盘基座和上板之间。内板的第一直径小于上板的第二直径。

公开(公告)号：CN116525395A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211448674.9

申请日：2022-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金学泳 ,  许敏宁 ,  朴秀珉 ,  李大贤

IPC: H01J37/32

Abstract: 公开了基板处理设备和基板处理方法。所述基板处理设备包括：卡盘，所述卡盘支撑基板；绝缘体环，所述绝缘体环围绕所述卡盘；聚焦环，所述聚焦环位于所述绝缘体环上；以及接地环，所述接地环位于所述绝缘体环外部。所述接地环包括接地环主体和位于所述接地环主体上的延伸环。所述延伸环的宽度小于所述接地环主体的宽度。所述延伸环的内侧表面比所述接地环主体的内侧表面更向外。所述延伸环的顶部与所述卡盘的顶表面之间的水平高度差在大约52mm至大约60mm的范围内。

公开(公告)号：CN111430208A

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN202010012899.4

申请日：2020-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  沈承辅 ,  陈厦东 ,  许敏宁 ,  金教赫 ,  宣钟宇 ,  李在铉

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。