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公开(公告)号:CN116525395A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202211448674.9
申请日:2022-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了基板处理设备和基板处理方法。所述基板处理设备包括:卡盘,所述卡盘支撑基板;绝缘体环,所述绝缘体环围绕所述卡盘;聚焦环,所述聚焦环位于所述绝缘体环上;以及接地环,所述接地环位于所述绝缘体环外部。所述接地环包括接地环主体和位于所述接地环主体上的延伸环。所述延伸环的宽度小于所述接地环主体的宽度。所述延伸环的内侧表面比所述接地环主体的内侧表面更向外。所述延伸环的顶部与所述卡盘的顶表面之间的水平高度差在大约52mm至大约60mm的范围内。
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公开(公告)号:CN110620029B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN201910115417.5
申请日:2019-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了等离子体处理设备的控温装置、用于等离子体处理设备的测温器以及等离子体处理设备,所述控温装置包括控温器,所述控温器包括:可移动冷却板,被构造成选择性地接触等离子体腔室上的介电窗,冷却板具有用于冷却介电窗的冷却剂可流动穿过其的至少一个冷却槽;至少一个冷却端口,包括连接到所述至少一个冷却槽的冷却通道;以及弹性构件,被构造成朝向冷却板弹性地按压冷却端口,使得冷却板关于介电窗相对可移动。
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公开(公告)号:CN116564782A
公开(公告)日:2023-08-08
申请号:CN202211386948.6
申请日:2022-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23C16/505 , C23C16/455
Abstract: 公开的是等离子体导流板、衬底处理装置和衬底处理方法。所述等离子体导流板包括:下环;上环,所述上环在俯视图中位于所述下环外部并且垂直地延伸;以及中间环,所述中间环从所述下环延伸到所述上环以相对于水平方向形成锐角。所述下环包括:下中央孔,所述下中央孔垂直地穿过所述下环的中心;以及多个下狭缝,所述多个下狭缝位于所述下中央孔外部并且垂直地穿透所述下环。所述中间环提供将所述中间环的内侧表面连接到所述中间环的外侧表面的中间狭缝。所述多个下狭缝与所述下环的面积比等于或大于大约59%。
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公开(公告)号:CN110620029A
公开(公告)日:2019-12-27
申请号:CN201910115417.5
申请日:2019-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了等离子体处理设备的控温装置、用于等离子体处理设备的测温器以及等离子体处理设备,所述控温装置包括控温器,所述控温器包括:可移动冷却板,被构造成选择性地接触等离子体腔室上的介电窗,冷却板具有用于冷却介电窗的冷却剂可流动穿过其的至少一个冷却槽;至少一个冷却端口,包括连接到所述至少一个冷却槽的冷却通道;以及弹性构件,被构造成朝向冷却板弹性地按压冷却端口,使得冷却板关于介电窗相对可移动。
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