等离子体处理装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107527782A

    公开(公告)日:2017-12-29

    申请号:CN201710325905.X

    申请日:2017-05-10

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包括:腔室;窗口板,设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔;注入器,具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部;和制动器,构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

    等离子体处理装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107527782B

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:CN201710325905.X

    申请日:2017-05-10

    Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置,该等离子体处理装置包括:腔室;窗口板,设置在腔室的上部分中并在其中限定有紧固孔;注入器,具有包括多个喷嘴并构造为被紧固到紧固孔的主体部、和从主体部径向地延伸以在主体部被紧固到紧固孔时部分地覆盖窗口板的底表面的凸缘部;和制动器,构造为在窗口板的上表面上被紧固到主体部以在主体部被紧固到紧固孔时将注入器保持在紧固孔中。

    基板检测装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN100520423C

    公开(公告)日:2009-07-29

    申请号:CN200610007917.X

    申请日:2006-02-21

    Abstract: 本发明涉及一种基板检测装置及其控制方法,依据本发明所提供的基板检测装置包含:检测单元,该检测单元具有用于检测所述基板的检测部和用于支持所述基板的检测台架以及用于移动所述检测台架的台架驱动部;设置在所述检测单元入口区域的供应单元,该供应单元具有用于支持至少一个所述基板而向所述检测单元依次供应所述基板的多个供应台架;设置在所述检测单元出口区域的排出单元,该排出单元具有用于支持从所述检测单元依次排出的至少一个所述基板的多个排出台架。

    化学蒸镀装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1891855A

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN200510123337.2

    申请日:2005-11-23

    Abstract: 本发明涉及一种化学蒸镀装置(CVD),该装置包含:形成反应室的反应器,该反应室上部具有用于供应反应气体的气体流入孔;在所述反应室内用于支持作业物的支持台;用于从所述气体流入孔将反应气体喷射于所述作业物上的、具有喷嘴单元的喷头,该喷嘴单元设有从中心轴线到径向外侧流动长度逐渐变长的多个喷嘴孔。由此,本发明提供一种可以均匀地形成蒸镀膜的化学蒸镀装置。

    化学蒸镀装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100567563C

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200510123337.2

    申请日:2005-11-23

    Abstract: 本发明涉及一种化学蒸镀装置(CVD),该装置包含:形成反应室的反应器,该反应室上部具有用于供应反应气体的气体流入孔;在所述反应室内用于支持作业物的支持台;用于从所述气体流入孔将反应气体喷射于所述作业物上的、具有喷嘴单元的喷头,该喷嘴单元设有从中心轴线到径向外侧流动长度逐渐变长的多个喷嘴孔。由此,本发明提供一种可以均匀地形成蒸镀膜的化学蒸镀装置。

    半导体制造装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100373535C

    公开(公告)日:2008-03-05

    申请号:CN200510064655.6

    申请日:2005-04-19

    Abstract: 本发明揭示了一种可以使蒸镀在晶片表面的薄膜厚度均匀的半导体制造装置。所揭示的半导体制造装置,包含:用于支持晶片并可旋转地设置在反应室内的支持部件;用于向晶片上部分散供应工程气体的气体供应装置。气体供应装置包含具有从晶片旋转中心相隔距离互不相同的位置上形成多个排气孔的气体分配板。

    半导体制造装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1832103A

    公开(公告)日:2006-09-13

    申请号:CN200510064655.6

    申请日:2005-04-19

    Abstract: 本发明揭示了一种可以使蒸镀在晶片表面的薄膜厚度均匀的半导体制造装置。所揭示的半导体制造装置,包含:用于支持晶片而可旋转地设置在反应室内的支持部件;用于向晶片上部分散供应工程气体的气体供应装置。气体供应装置包含具有从晶片旋转中心相隔距离互不相同的位置上形成多个排气孔的气体分配板。

    基板检测装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN1912640A

    公开(公告)日:2007-02-14

    申请号:CN200610007917.X

    申请日:2006-02-21

    Abstract: 本发明涉及一种基板检测装置及其控制方法,依据本发明所提供的基板检测装置包含:检测单元,该检测单元具有用于检测所述基板的检测部和用于支持所述基板的检测台架以及用于移动所述检测台架的台架驱动部;设置在所述检测单元入口区域的供应单元,该供应单元具有用于支持至少一个所述基板而向所述检测单元依次供应所述基板的多个供应台架;设置在所述检测单元出口区域的排出单元,该排出单元具有用于支持从所述检测单元依次排出的至少一个所述基板的多个排出台架。

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