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公开(公告)号：CN117476425A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310559036.2
申请日：2023-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种等离子体处理装置包括：晶片支撑固定件，在腔室中，并且被配置为支撑晶片；上电极，在腔室中，并且与晶片支撑固定件间隔开；磁体组件，被配置为将磁场施加到腔室中，磁体组件包括布置为环形形状的多个第一磁体和多个第二磁体，以及从腔室的中心轴到多个第一磁体中的每个第一磁体和到多个第二磁体中的每个第二磁体的水平距离小于晶片的半径。
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