公开(公告)号：CN113471208A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110346429.6

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.郑 ,  金英宇 ,  金宰成 ,  印炯烈

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。

公开(公告)号：CN107038565B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201710065360.3

申请日：2017-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相明 ,  金宰成 ,  诸成民

IPC: G06Q20/16 ,  G06Q20/32 ,  G06Q20/34 ,  G06Q20/40

Abstract: 提供了电子装置的电子支付方法。第一电子装置的电子支付方法包括：在第一电子装置处执行电子支付应用；由第一电子装置向支付服务器传输注册共用组的请求，共用组包括将注册为组员的第二电子装置；在第一电子装置处接收第二电子装置的装置信息；在第一电子装置处通过使用装置信息执行对第二电子装置的认证；以及由第一电子装置向支付服务器传输认证的结果。

公开(公告)号：CN107038565A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710065360.3

申请日：2017-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相明 ,  金宰成 ,  诸成民

IPC: G06Q20/16 ,  G06Q20/32 ,  G06Q20/34 ,  G06Q20/40

CPC classification number: G06Q20/102 ,  G06Q20/32 ,  G06Q20/322 ,  G06Q20/36 ,  G06Q20/40 ,  G06Q20/16 ,  G06Q20/34

Abstract: 提供了电子装置的电子支付方法。第一电子装置的电子支付方法包括：在第一电子装置处执行电子支付应用；由第一电子装置向支付服务器传输注册共用组的请求，共用组包括将注册为组员的第二电子装置；在第一电子装置处接收第二电子装置的装置信息；在第一电子装置处通过使用装置信息执行对第二电子装置的认证；以及由第一电子装置向支付服务器传输认证的结果。

公开(公告)号：CN117476425A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310559036.2

申请日：2023-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗栋铉 ,  金宰彬 ,  申明修 ,  韩东锡 ,  金京善 ,  金南均 ,  金宰成 ,  沈承辅

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理装置包括：晶片支撑固定件，在腔室中，并且被配置为支撑晶片；上电极，在腔室中，并且与晶片支撑固定件间隔开；磁体组件，被配置为将磁场施加到腔室中，磁体组件包括布置为环形形状的多个第一磁体和多个第二磁体，以及从腔室的中心轴到多个第一磁体中的每个第一磁体和到多个第二磁体中的每个第二磁体的水平距离小于晶片的半径。

公开(公告)号：CN215220721U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202120661877.0

申请日：2021-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D.郑 ,  金英宇 ,  金宰成 ,  印炯烈

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11565

Abstract: 本实用新型提供了半导体器件。一种半导体器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；栅电极，在第一区域中在垂直于基板的上表面的第一方向上堆叠且彼此间隔开，并在第二区域中沿着垂直于第一方向的第二方向以不同的长度延伸；第一分隔区域，在第一区域和第二区域中穿透栅电极，在第二方向上延伸，并在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此间隔开；第二分隔区域，在第二区域中穿透栅电极，在第一分隔区域之间在第二方向上延伸并在第二方向上彼此间隔开；以及第一垂直结构，在第二区域中穿透栅电极并最靠近第一区域，其中第二分隔区域在第三方向上的宽度大于第一垂直结构的宽度，第二分隔区域的与第一区域相邻的第一端点在第二方向上与第一垂直结构的中心轴线间隔开，并与第一垂直结构的中心轴线相比更远离第一区域。