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公开(公告)号：CN100555636C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510131729.3
申请日：2005-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 本发明涉及一种包括公共栅极的互补金属氧化物半导体(CMOS)薄膜晶体管、包括CMOS晶体管的逻辑器件、及CMOS薄膜晶体管的制造方法。在一个实施例中，CMOS薄膜晶体管包括基衬底和形成于基衬底上的半导体层。P沟道晶体管和N沟道晶体管形成于单一半导体层上以彼此相交且公共栅极形成于相交的区域。另外，肖特基势垒感应材料层形成于P沟道晶体管的源极和漏极上。
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公开(公告)号：CN1585132A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410079460.4
申请日：2004-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/14
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/0466
Abstract: 本发明公开了一种SONOS存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了SONOS存储器件的性能。
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公开(公告)号：CN1385904A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02100922.8
申请日：2002-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/772 , H01L21/82
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/7888
Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底,以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层,在下层上形成的单电子储存介质,用来储存隧穿通过下层的单个电子,一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层,以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。
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公开(公告)号：CN100552958C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200510084792.6
申请日：2005-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/78 , H01L21/8247 , H01L21/336
CPC classification number: G11C16/0475 , H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/7923
Abstract: 本发明提供了多位非易失性存储器件及其操作方法和制造方法。存储器件包括形成在半导体衬底内的沟道区及与沟道区形成肖特基接触的源极和漏极。而且，中心栅极电极位于沟道区的一部分上，且第一和第二侧壁栅极电极沿着中心栅极电极的外侧形成在沟道区上。第一和第二存储节点形成在沟道区和侧壁栅极电极之间。
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公开(公告)号：CN1189943C
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN02100922.8
申请日：2002-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L29/772 , H01L21/82
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/7888
Abstract: 提供一种由栅电极和单电子储存单元之间的量子点组成的单电子存储器件及其制造方法。此单电子存储器件包含一个在其上在源极和漏极之间形成一个纳米尺度沟道的衬底，以及包含沟道区上的量子点的栅极叠层图形。栅极叠层图形包含在沟道区形成的一个下层，在下层上形成的单电子储存介质，用来储存隧穿通过下层的单个电子，一个包含在单电子储存介质上形成的量子点的上层，以及在上层上形成的要与量子点接触的栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100383976C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410079460.4
申请日：2004-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/14
CPC classification number: H01L29/792 , G11C16/0466
Abstract: 本发明公开了一种SONOS存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了SONOS存储器件的性能。
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公开(公告)号：CN1815740A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200510131729.3
申请日：2005-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L21/84 , H01L27/1203
Abstract: 本发明涉及一种包括公共栅极的互补金属氧化物半导体(CMOS)薄膜晶体管、包括CMOS晶体管的逻辑器件、及CMOS薄膜晶体管的制造方法。在一个实施例中，CMOS薄膜晶体管包括基衬底和形成于基衬底上的半导体层。P沟道晶体管和N沟道晶体管形成于单一半导体层上以彼此相交且公共栅极形成于相交的区域。另外，肖特基势垒感应材料层形成于P沟道晶体管的源极和漏极上。
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公开(公告)号：CN1607668A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410095200.6
申请日：2004-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L21/8242
CPC classification number: G11C16/0475 , H01L21/28282 , H01L29/66833 , H01L29/792
Abstract: 一种SONOS存储器，包括：具有源区和漏区以及沟道区的半导体层，和在半导体层上的上部堆叠结构，其与半导体层一起形成上部SONOS存储器。在半导体层下的下部堆叠结构与半导体层一起形成下部SONOS存储器。还提供一种制造和操作SONOS存储器的方法。可以不按照窄设计规则而制造出具有高封装密度的SONOS存储器。
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公开(公告)号：CN100353556C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200410064028.8
申请日：2004-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/112 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28194 , H01L21/28282 , H01L27/11568 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66833
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，它包括具有以预定距离隔开的源区和漏区的半导体衬底，以及形成在衬底上的源区和漏区之间的栅极叠层，栅极叠层的一端接触源区而栅极叠层的另一端接触漏区，其中，栅极叠层包括：隧道层；掺杂以预定第一掺杂杂质、具有比氮化物(Si3N4)膜更高的介电常数的第一俘获材料膜；具有比氮化物膜更高的介电常数的第一绝缘膜；以及栅电极，所有这些膜被顺序淀积到衬底上。本发明还提供了一种能够根据掺杂浓度来有效控制俘获密度的非易失性半导体存储器件，从而在较低的工作电压下提高数据的写入/抹去速度。
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公开(公告)号：CN1832201A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610004393.9
申请日：2006-02-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/792 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/7881 , H01L29/4232 , H01L29/42324 , H01L29/513 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在该隧道绝缘膜上的存储节点；形成在该存储节点上的阻挡绝缘膜；以及形成在该阻挡绝缘膜上的控制栅极电极。该存储节点至少包括具有不同陷阱密度的两层捕获膜，该阻挡绝缘膜具有比硅氧化物膜的介电常数大的介电常数。
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