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公开(公告)号：CN100339768C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410048544.1
申请日：2001-02-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
Abstract: 提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中，热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的。加热时，发射器上被掩模盖住的地方不发射电子，未被掩模盖住的暴露部分发射电子，从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开，需要平行电子束，用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束，从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。
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公开(公告)号：CN1344001A
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：CN01122404.5
申请日：2001-07-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
IPC: H01J1/30
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J1/312 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/306
Abstract: 在半导体光刻工艺中使用的铁电多层发射体包括下电极,具有顶表面和两个端部分并覆盖在下电极上的铁电层,在除铁电层顶面两个端部分之外的区域上形成的插入电极,具有侧部和具有两个端部分的顶面的介电层,其具有预定图形并沿着铁电层的顶面和插入电极形成,在铁电层对面的介电层一侧上形成的假上电极。本发明的铁电发射体保证电子从掩模层的宽和窄空隙中和在诸如环行的隔离图形中均匀发射,用于铁电转换发射光刻。
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公开(公告)号：CN1176405C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN01104684.8
申请日：2001-02-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
IPC: G03F7/20
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
Abstract: 提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中，热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的加热时，发射器上被掩模盖住的地方不发射电子，未被掩模盖住的暴露部分发射电子，从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开，需要平行电子束，用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束，从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。
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公开(公告)号：CN1333482A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01104684.8
申请日：2001-02-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
IPC: G03F7/20
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
Abstract: 提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中,热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的。加热时,发射器上被掩模盖住的地方不发射电子,未被掩模盖住的暴露部分发射电子,从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开,需要平行电子束,用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束,从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。
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公开(公告)号：CN1591190A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410048544.1
申请日：2001-02-20
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
IPC: G03F7/20
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3175 , H01J2237/31777
Abstract: 提供了一种用带图案的发射器发射光刻的方法和装置。发射光刻的装置中，热电发射器或铁电发射器使用掩模构图然后再加热的。加热时，发射器上被掩模盖住的地方不发射电子，未被掩模盖住的暴露部分发射电子，从而发射器图案的形状被投射到衬底上。为防止被发射电子束的散开，需要平行电子束，用磁铁、直流磁场发生器或是偏转系统来控制该电子束，从而把所需图案精确地1∶1或是X∶1投射刻蚀到衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1185673C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN01122405.3
申请日：2001-07-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/306
Abstract: 本发明公开一种铁电发射体。本发明的铁电发射体包括具有第一侧面，相对的第二侧面和顶面的铁电层，沿着铁电层顶面形成的第一和第二电极，和具有预定图形的掩模层，并沿着第一和第二电极之间的铁电层的顶面形成。当用于铁电转换发射光刻时，本发明的铁电发射体允许电子从掩模层的宽或窄间隙中和从诸如环行的隔离图形中发射，同时，在热电电子发射中易于重新还原。
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公开(公告)号：CN1181551C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN01112426.1
申请日：2001-04-03
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种2T-1C FRAM，其每个单元都包括两个晶体管和一个铁电电容器，以便不用开关操作，利用与两个晶体管的p-n结一起被利用的铁电电容器的“充电”和“放电”进行写/读操作，因而避免了2T-1C FRAM中例如疲劳和印记等退化问题。
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公开(公告)号：CN1337727A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN01122405.3
申请日：2001-07-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J1/30 , H01J2201/306
Abstract: 本发明公开一种铁电发射体。本发明的铁电发射体包括具有第一侧面,相对的第二侧面和顶面的铁电层,沿着铁电层顶面形成的第一和第二电极,和具有预定图形的掩模层,并沿着第一和第二电极之间的铁电层的顶面形成。当用于铁电转换发射光刻时,本发明的铁电发射体允许电子从掩模层的宽或窄间隙中和从诸如环行的隔离图形中发射,同时,在热电电子发射中易于重新还原。
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公开(公告)号：CN1242482C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN02101806.5
申请日：2002-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/82 , G11C11/412 , G11C16/04
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/42332 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 提供了一种存储器器件，包括具有RAM和ROM功能的一个单独的晶体三极管及其操作与制造方法。本存储器器件包括形成于基底之上的一个单独的晶体三极管。该晶体三极管是一个存储器晶体三极管，它具有一个栅极，连同一个非易失性存储器单元，或者在介于晶体三极管与基底之间形成非易失性存储器单元。
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公开(公告)号：CN1211825C
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN01122404.5
申请日：2001-07-05
Applicant: 三星电子株式会社 , 弗吉尼亚技术知识资产公司
Inventor： 柳仁暻
IPC: H01J1/30
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J1/312 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/306
Abstract: 在半导体光刻工艺中使用的铁电多层发射体包括下电极，具有顶表面和两个端部分并覆盖在下电极上的铁电层，在除铁电层顶面两个端部分之外的区域上形成的插入电极，具有侧部和具有两个端部分的顶面的介电层，其具有预定图形并沿着铁电层的顶面和插入电极形成，在铁电层对面的介电层一侧上形成的假上电极。本发明的铁电发射体保证电子从掩模层的宽和窄空隙中和在诸如环行的隔离图形中均匀发射，用于铁电转换发射光刻。
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