公开(公告)号：CN1162911C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN01117737.3

申请日：2001-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳晚 ,  约-塞普闵 ,  李兆远 ,  李来成

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/4197 ,  G11B9/00

CPC classification number: G11B9/14 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B11/03 ,  G11B11/08

Abstract: 采用碳素物质的可重写数据存储器，通过控制施加在悬臂尖电极头和导电层之间的电压，利用在导电层上电化学反应引起的电流写入或擦除由碳素物质代表的信息。此外还由所施加的电压的幅值或者持续施加时间，控制代表信息的碳素物质的尺寸。

公开(公告)号：CN1323066A

公开(公告)日：2001-11-21

申请号：CN01117737.3

申请日：2001-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳晚 ,  约-塞普闵 ,  李兆远 ,  李来成

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/4197

CPC classification number: G11B9/14 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B11/03 ,  G11B11/08

Abstract: 采用碳素物质的可重写数据存储器,通过控制施加在悬臂尖电极头和导电层之间的电压,利用在导电层上电化学反应引起的电流写入或擦除由碳素物质代表的信息。此外还由所施加的电压的幅值或者持续施加时间,控制代表信息的碳素物质的尺寸。