公开(公告)号：CN100376031C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200410002585.7

申请日：2004-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳远壹 ,  李兆远 ,  尹世煜 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储器件及其制造方法。该SONOS存储器件包括半导体衬底、淀积在半导体衬底上的绝缘层、形成在绝缘层的预定区域并且被分为源区、漏区和沟道区的有源层、形成在沟道区一侧的第一侧栅叠层和形成在第一侧栅叠层相对侧的第二侧栅叠层。由于在每个SONOS存储器件中至少存储两位数据，因此相对于包含在SONOS存储器件中的存储节点的布局，与常规的SONOS存储器件相比，可以将半导体存储器件的集成密度提高1.5-2倍。

公开(公告)号：CN1518108A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002585.7

申请日：2004-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳远壹 ,  李兆远 ,  尹世煜 ,  金桢雨

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供一种硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅(SONOS)存储器件及其制造方法。该SONOS存储器件包括半导体衬底、淀积在半导体衬底上的绝缘层、形成在绝缘层的预定区域并且被分为源区、漏区和沟道区的有源层、形成在沟道区一侧的第一侧栅叠层和形成在第一侧栅叠层相对侧的第二侧栅叠层。由于在每个SONOS存储器件中至少存储两位数据，因此相对于包含在SONOS存储器件中的存储节点的布局，与常规的SONOS存储器件相比，可以将半导体存储器件的集成密度提高1.5－2倍。