公开(公告)号：CN116259655A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211397521.6

申请日：2022-11-09

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·马吉 ,  A·默西 ,  A·S·基拉姆帕利

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 集成电路包括半导体材料的主体。源极或漏极区包括与主体接触的半导体材料，其中，源极或漏极区域的半导体材料包括具有大于源极或漏极区域的其余区域的掺杂剂浓度的外部区域，外部区域限定源极或漏极区域的多个接触表面并延伸到源极或漏极区域中至少1nm的深度。包括金属的接触部在源极或漏极区域的多个接触表面上。根据示例，外部区域的掺杂剂浓度沿着接触部和外部区域之间的整个界面是连续的。

公开(公告)号：CN106575655A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201480081407.X

申请日：2014-09-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·马吉 ,  E·V·卡尔波夫 ,  N·慕克吉 ,  R·皮拉里塞泰 ,  U·沙阿 ,  B·S·多伊尔 ,  R·S·周

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/146 ,  H01L45/08 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/16

Abstract: 薄膜电阻式存储器材料堆叠体包括在第一电极与薄膜存储器材料的界面处的高功函数金属氧化物、以及在第二电极与薄膜存储器材料的界面处的低功函数稀土金属中的至少一种。针对高导通/关断电流比，高功函数金属氧化物相对于存储器材料提供良好的肖特基势垒高度。金属氧化物与开关氧化物的相容性降低了氧/空穴的循环损失，以改善存储器器件的耐久性。低功函数稀土金属提供高氧溶解度以增强在沉积状态下在存储器材料内的空穴产生，以用于在提供与电阻式存储器材料的欧姆接触的同时实现低形成电压要求。

公开(公告)号：CN106062953A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380081249.3

申请日：2013-12-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·马吉 ,  N·慕克吉 ,  R·皮拉里塞 ,  W·拉赫马迪 ,  R·S·周

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78684

Abstract: 一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，该反相器包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及p沟道MOSFET，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。一种方法，包括：形成n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；形成p沟道MOSFET；以及连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的栅极电极，并且连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的漏极区，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。

公开(公告)号：CN101681924B

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN200880006179.4

申请日：2008-03-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·O·徐 ,  P·马吉 ,  W·蔡 ,  J·卡瓦列罗斯

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

Abstract: 在一个实施例中，本发明包括一种设备，所述设备具有：衬底；形成于所述衬底上的掩埋氧化物层；形成于所述掩埋氧化物层上的绝缘体上硅(SOI)内核；包覆在SOI内核周围的压缩应变量子阱(QW)层；以及包覆在QW层周围的拉伸应变硅层。还描述其他实施例并主张其权利。

公开(公告)号：CN101681924A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880006179.4

申请日：2008-03-21

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C·O·徐 ,  P·马吉 ,  W·蔡 ,  J·卡瓦列罗斯

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/768 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66977 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

Abstract: 在一个实施例中，本发明包括一种设备，所述设备具有：衬底；形成于所述衬底上的掩埋氧化物层；形成于所述掩埋氧化物层上的绝缘体上硅(SOI)内核；包覆在SOI内核周围的压缩应变量子阱(QW)层；以及包覆在QW层周围的拉伸应变硅层。还描述其他实施例并主张其权利。

公开(公告)号：CN116230766A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211362363.0

申请日：2022-11-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·马吉 ,  G·格拉斯 ,  A·默西 ,  R·沙阿

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体结构包括主体和至少部分地环绕主体的栅极结构，所述主体包括半导体材料。该半导体结构还包括源极区和漏极区，所述主体在所述源极区和所述漏极区之间横向延伸。所述主体具有第一和第二末端区域之间的中间区域。在示例中，源极区至少部分地环绕主体的第一末端区域，并且/或者漏极区至少部分地环绕主体的第二末端区域。在另一个示例中，所述主体包括核心结构和成分上与核心结构不同的外围结构(例如，环绕主体的中间区域中的核心结构的包覆或层)。所述主体可以是例如纳米带、纳米片、或纳米线、或全环绕栅极器件、或叉片式器件。

公开(公告)号：CN116190444A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211333611.9

申请日：2022-10-28

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A·穆尔蒂 ,  P·马吉 ,  G·格拉斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请标题为“基于绝缘体上应变半导体（SSOI）的环栅（GAA）晶体管结构”。一种环栅晶体管装置包括衬底以及所述衬底之上的层，其中所述层包括绝缘体材料。所述装置还包括源区和漏区以及主体，所述主体包括所述层之上并且在所述源区与漏区之间横向延伸的半导体材料。在示例中，除了由源区和漏区所诱发的任何附加应变（若有的话）之外，主体的半导体材料还处于由下面绝缘体上应变半导体（SSOI）结构所诱发的双轴张力应变下。栅结构至少部分环绕所述主体，其中所述栅结构包括(i)栅电极以及(ii)所述主体与所述栅电极之间的栅电介质。主体能够是例如纳米带、纳米片或纳米线。

公开(公告)号：CN114628435A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111297048.X

申请日：2021-11-01

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·马吉 ,  D·考 ,  M·海因曼

IPC: H01L27/24

Abstract: 一种存储器器件结构包括：垂直晶体管，具有在源极和漏极之间的沟道；栅极电极，邻近于沟道，其中栅极电极在与沟道的纵轴正交的第一方向上。栅极电介质层在栅极电极和沟道之间。第一互连的第一端子与源极或漏极耦合，其中第一互连与纵轴共线。存储器器件结构还包括一对存储器单元，其中存储器单元中的各个存储器单元包括选择器和存储器元件，其中存储器单元中的各个存储器单元的第一端子耦合到第一互连的相应第二端子和第三端子。存储器单元中的各个存储器单元的第二端子耦合到一对第二互连中的各个第二互连。

公开(公告)号：CN106062953B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201380081249.3

申请日：2013-12-27

Applicant: 英特尔公司

Inventor： P·马吉 ,  N·慕克吉 ,  R·皮拉里塞 ,  W·拉赫马迪 ,  R·S·周

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78

Abstract: 一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，该反相器包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及p沟道MOSFET，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。一种方法，包括：形成n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；形成p沟道MOSFET；以及连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的栅极电极，并且连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的漏极区，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。

公开(公告)号：CN105428228B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510756005.1

申请日：2009-12-23

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·胡代特 ,  R·皮拉里塞泰 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  G·德维 ,  T·拉克希特 ,  J·卡瓦列罗斯 ,  W·蔡 ,  P·马吉

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/165 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/152 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/802

Abstract: 本发明涉及具有由金属源极/漏极和共形再生长源极/漏极导致的单轴应变的量子阱MOSFET沟道。描述的实施例包括具有金属源极/漏极的应变晶体管量子阱(QW)沟道区以及共形再生长源极/漏极，以在MOS沟道区中赋予单轴应变。可以利用晶格间距与沟道材料的晶格间距不同的结材料填充沟道层的被去除部分，以除了双轴应变之外，在沟道中导致单轴应变，双轴应变是由量子阱的顶部势垒层和底部缓冲层在沟道层中导致的。