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公开(公告)号：CN105990392B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201510067873.9
申请日：2015-02-09
申请人： 力晶科技股份有限公司
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1616
摘要： 本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括基底、介电层与至少一存储单元串。介电层设置于基底上。存储单元串包括多个存储单元与至少一第一内连线结构。存储单元垂直相邻地设置于介电层中，且各存储单元包括第一导线、第二导线与可变电阻结构。第二导线设置于第一导线的一侧，且第二导线的上表面高于第一导线的上表面。可变电阻结构设置于第一导线与第二导线之间。在垂直相邻的存储单元中的可变电阻结构彼此隔离。第一内连线结构连接垂直相邻的第一导线。
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公开(公告)号：CN108886051A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780021358.4
申请日：2017-03-17
申请人： 美光科技公司
发明人： P·凡蒂尼
IPC分类号： H01L27/24
CPC分类号： H01L27/249 , G11C7/04 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2427 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1253 , H01L45/1293 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 本发明描述用于三维存储器阵列的方法、系统及装置。存储器单元可在暴露于高温时转换，所述高温包含与相邻单元的读取或写入操作相关联的高温，从而破坏存储于所述存储器单元中的数据。为防止此热干扰效应，存储器单元可由包含一或若干界面的热绝缘区域彼此分离。所述界面可通过将不同材料彼此层叠或在形成期间调整材料的沉积参数而形成。所述层可使用例如平面薄膜沉积技术产生。
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公开(公告)号：CN104465496B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201310581646.9
申请日：2013-11-18
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/11582 , H01L27/24
CPC分类号： H01L21/76883 , H01L21/76895 , H01L23/481 , H01L27/11206 , H01L27/11582 , H01L27/249 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L2224/16145
摘要： 本发明公开了一种用于三维装置具有多个垂直延伸的导体的装置及制造方法，三维(three dimensional，3D)电路中的导体可透过两段式刻蚀处理来形成。此3D电路包含具多个垂直延伸于高长宽比沟道之中的水平线。此处理包括：提供一衬底，此衬底具有多个间隔开的叠层；在这些间隔开的叠层之间，形成一垂直柱图样；以及形成一水平线图样于这些间隔开的叠层上的导体材料本体上，这些水平线是连接垂直柱图样中的多个垂直柱。导体材料可沉积于这些间隔开的叠层上。一第一刻蚀处理可用来形成垂直柱图样。一第二刻蚀处理可用来形成水平线图样。这些导体可作为3D存储器中的位线或字线。
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公开(公告)号：CN107078134A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056390.7
申请日：2015-11-05
申请人： 索尼半导体解决方案公司
发明人： 奥野润
CPC分类号： H01L45/1293 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1206 , H01L45/1226 , H01L45/16
摘要： 本发明的实施例描述了一种用于制造在相邻底部电极之间具有增大的间隔的存储装置的方法，所述方法包括：在基板上沉积多晶硅层；在所述多晶硅层上方沉积碳层；在所述碳层上图案化光致抗蚀剂层；在所述光致抗蚀剂层上沉积第一间隔层；以及在回蚀刻所述间隔层形成侧壁之后，在所述光致抗蚀剂层上执行修改的光刻处理。
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公开(公告)号：CN104392962B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410174677.7
申请日：2014-04-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
发明人： 霍宗亮
IPC分类号： H01L21/8239
CPC分类号： H01L21/76816 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/115 , H01L27/11519 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/2481 , H01L45/10 , H01L45/1226 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1675
摘要： 一种三维半导体器件制造方法，包括：a)在衬底上形成器件单元，包括沿垂直衬底表面方向多个第一材料层和多个第二材料层构成的堆叠结构；b)在器件单元周围形成接触引出区域，包括多个子分区，每一个暴露各自不同的一个第二材料层；c)在衬底上形成光刻胶覆盖多个子分区，暴露一个第二材料层的一部分；d)以光刻胶为掩模同时刻蚀多个子分区中暴露的一个第二材料层的一部分，直至暴露一个第二材料层下方的另一个第二材料层；e)缩减光刻胶的尺寸，以暴露另一个第二材料层的一部分；f)重复步骤d和步骤e直至所有的第二材料层均暴露；g)形成接触引线，连接多个第二材料层的每一个。依照本发明的方法，对各个子分区进行选择性刻蚀，减少工艺步骤，有效提高面积利用率。
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公开(公告)号：CN104520995B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380041340.2
申请日：2013-06-13
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
CPC分类号： H01L27/249 , G06F12/0238 , G11C5/025 , G11C5/06 , G11C7/18 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L21/76877 , H01L27/1052 , H01L27/2454 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 三维存储器装置的垂直转换层用于转换一组垂直局部位线到对应的一组全局位线，垂直转换层是垂直薄膜晶体管(TFT)的TFT沟道的二维阵列，对齐排列以连接到局部位线的阵列，每个TFT转换局部位线到对应的全局位线。阵列中的TFT具有分别沿着x和y轴的分开长度Lx和Ly，从而栅极材料层形成在x‑y平面中的每个TFT周围的围绕栅极，并且使栅极材料层具有的厚度合并以形成沿着x轴的行选择线，而在各行选择线之间保持分开长度Ls。围绕栅极改善了TFT的转换能力。
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公开(公告)号：CN103238215B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201180057866.0
申请日：2011-11-03
申请人： 美光科技公司
发明人： 刘峻
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C5/02 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 本发明揭示一种每单位单元包含五个存储器单元的非易失性存储器单元阵列。本发明还揭示一种包含五个存储器单元的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述五个存储器单元占据所述层中的个别层内的4F的连续水平面积。本发明还揭示一种包括多个单位单元的非易失性存储器单元阵列，所述多个单位单元个别地包括可编程材料的三个竖直区，所述三个竖直区包括所述单位单元的至少三个不同存储器单元的所述可编程材料。本发明还揭示一种包含连续体积的经垂直堆叠的非易失性存储器单元层阵列，所述连续体积具有多个经垂直定向的存储器单元与多个经水平定向的存储器单元的组合。本发明揭示其它实施例及方面。
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公开(公告)号：CN102142517B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201010595047.9
申请日：2010-12-17
申请人： 华中科技大学
CPC分类号： H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/128 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/148 , H01L45/1608 , H01L45/1625
摘要： 本发明公开了一种低热导率的多层相变材料，两种单层薄膜相变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料至少有一种组成元素不同或由相同的元素组成但原子百分比不同。其作为相变存储器的记录材料能有效降低对某一储存单元进行读写操作时引起的邻近储存单元温升，减小邻近单元之间的热串扰，提高存储器的稳定性并降低器件功耗，且该材料不需引入其他非相变材料，与现有制备技术完全兼容。
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公开(公告)号：CN103165638B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210274234.6
申请日：2012-08-03
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 朴南均
CPC分类号： G11C5/02 , G11C11/16 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0016 , G11C2213/71 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L43/08 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/147
摘要： 本发明公开了一种层叠型存储器件，所述层叠型存储器件包括：半导体衬底；多个位线，所述多个位线被布置并层叠在所述半导体衬底上；多个字线，所述多个字线形成在所述多个位线上；多个互连单元，所述多个互连单元中的每个从相应的字线向所述多个位线中的相应的一个延伸；以及多个存储器单元，所述多个存储器单元分别连接在所述多个位线与从所述多个字线延伸的互连单元之间。
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公开(公告)号：CN102881708B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110443623.2
申请日：2011-12-27
申请人： 海力士半导体有限公司
CPC分类号： H01L45/1675 , G11C13/0004 , G11C2013/008 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/249 , H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/1246 , H01L45/126 , H01L45/144
摘要： 提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法和驱动方法。所述器件包括：半导体衬底；从半导体衬底的表面延伸的上电极；沿着与半导体衬底的表面平行的方向从上电极的两个侧壁延伸的多个开关结构；以及设置在所述多个开关结构与上电极之间的相变材料层。
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