发明授权
摘要：
本发明公开了一种低热导率的多层相变材料，两种单层薄膜相变材料交替堆叠形成周期性的多层膜结构，两种薄膜材料至少有一种组成元素不同或由相同的元素组成但原子百分比不同。其作为相变存储器的记录材料能有效降低对某一储存单元进行读写操作时引起的邻近储存单元温升，减小邻近单元之间的热串扰，提高存储器的稳定性并降低器件功耗，且该材料不需引入其他非相变材料，与现有制备技术完全兼容。
公开/授权文献
- CN102142517A 一种低热导率的多层相变材料 公开/授权日：2011-08-03
IPC分类:
